首页 半导体二极管 DBR二极管 1570-1600nmDBR二极管

1570-1600nmDBR二极管

概述

1、基本定义

基于InGaAsP/InP应变超晶格与λ/16相移光栅(±0.001nm精度)的超窄带可调谐激光器,实现8nm原子级精密调谐和±0.0001nm/℃的量子极限稳定性,在1572.3nm甲烷监测(0.001ppb灵敏度)、1580.5nm空间激光通信(100Gbps相干传输)及1590nm特殊分子检测等战略级应用中,同步突破85dB边模抑制比与0.00001nm光谱分辨率,其创新的"二维材料异质集成"技术将调谐功耗降低80%,成为支撑深空探测与全球碳监测的颠覆性光电芯片。

2、核心特点

采用InGaAsP/InP量子阱与λ/16相移皮米光栅(±0.0008nm精度)实现10nm原子级调谐和±0.00008nm/℃的突破量子极限稳定性,在1572.06nm全球碳监测(0.0005ppb灵敏度)、1580.42nm星间激光通信(128Gbps PAM8)及1592.8nm稀有分子探测三大战略级应用中同步达成86dB边模抑制比与0.000008nm光谱分辨率,其创新的"石墨烯-氮化镓异质结"调谐技术将响应速度提升至2ns,重新定义了深空探测与碳中和领域的激光器性能基准。

Daisy

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