筱晓光子推出的Si硅偏压探测器，通过施加反向偏压（通常5-100V）提升硅PN结响应速度的器件，利用强电场加速载流子渡越，适用于脉冲激光测距和时间分辨光谱测量。

快速响应（纳秒级）与高线性度，但偏压升高会导致暗电流增加（trade-off设计）。

筱晓光子推出的GaAs砷化镓偏压探测器，一种通过施加反向偏压（通常5-50V）提升近红外波段（800-1700nm）性能的光电器件，基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光生伏特效应，将光信号转换为电信号。其设计通过强电场加速载流子渡越，显著提高响应速度和量子效率，尤其适用于光纤通信（1310nm波段）和脉冲激光测距等需要快速光电转换的场景。

通过可控反向偏压（5-50V）实现近红外波段（800-1700nm）的高速响应（纳秒级）与增益可调，兼具高量子效率（＞70%@1310nm）与TO封装兼容性，但需温控抑制暗电流以维持信噪比。

筱晓光子推出的InGaAs铟镓砷偏压探测器，通过偏压扩展波长至2.6μm并提升增益的SWIR探测器，适用于光纤传感和工业过程监控。其APD版本可在盖革模式下实现单光子灵敏度。

偏压可调增益（线性/雪崩模式），兼顾2μm波段探测率与GHz带宽，需优化击穿电压稳定性。

筱晓光子推出的Ge锗偏压探测器，一种基于锗半导体PN结的红外光电转换器件，通过施加反向偏压（10-50V）提升800-1800nm波段的响应速度与灵敏度，主要用于近红外激光探测与光谱分析。

宽近红外响应（800-1800nm）与高吸收效率，通过偏压提升响应速度至纳秒级，但因锗材料特性存在较高暗电流（μA级）和温度敏感性，需配合补偿电路优化信噪比。

筱晓光子推出的InAs砷化铟偏压探测器，一种需深度制冷（77K）工作的中红外（3-3.8μm）高灵敏度光电探测器，通过施加反向偏压（1-10V）增强载流子分离效率，专用于分子指纹区的高精度气体分析和热辐射探测。

3-3.8μm分子指纹区的极限灵敏度探测（探测率>10¹¹ Jones），通过77K深度制冷实现pA级暗电流和纳秒级响应，但依赖精密偏压控制（1-10V）以抑制隧穿噪声，成为中红外气体分析的基准探测器。

筱晓光子推出的InAsSb铟砷锑偏压探测器，一种基于Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体的宽谱红外探测器，通过调节砷锑组分比覆盖3-12μm中长波红外波段，在微制冷（-40℃）或室温下即可实现高探测率，主要用于工业气体分析与红外热成像。

3-12μm宽谱中长波红外探测与室温可工作性，通过组分调控实现8-14μm大气窗口高探测率（>10¹⁰ Jones），兼具制冷成本优势（热电制冷即可）和μs级响应速度，正在工业检测领域快速替代传统MCT探测器。

筱晓光子推出的MCT碲镉汞偏压探测器，在高压偏置（＞50V）下工作的极弱光探测器，通过碰撞电离实现＞10⁴增益，用于单光子计数和超光谱成像。

超高增益（＞10⁴）与单光子灵敏度，但偏压噪声和制冷需求大幅增加系统复杂度。