1、基本定义

基于III-V族化合物（如InGaN/GaN、AlInGaP）的半导体发光器件，通过能带工程精准调控波长（400-700nm），在蓝光（450nm）、绿光（520nm）和红光（620nm）波段实现超过200lm/W的光效，其创新的"量子阱结构"和"表面粗化技术"将外量子效率提升至80%以上，成为照明、显示和光通信领域的核心光源解决方案。

2、核心特点

采用InGaN/GaN和AlInGaP多量子阱结构，通过精确的能带调控（波长精度±1nm）实现全光谱覆盖（400-700nm），在蓝光（450nm）、绿光（530nm）和红光（630nm）波段分别达成250lm/W、220lm/W和210lm/W的创纪录光效，其创新的"微纳光子晶体"技术将外量子效率提升至85%，配合"多芯片集成"方案使显色指数（CRI）突破98，成为超高清显示（BT.2020色域95%）、智能照明（人因节律调控）及可见光通信（10Gbps Li-Fi）三大领域的性能标杆。