增益芯片
1、基本定义
增益芯片是基于半导体材料（如InP/GaAs）的光学放大核心器件，通过载流子注入在有源区（多量子阱/量子点）实现受激辐射放大，典型具备10-30dB增益和100-1000mW输出功率，其创新的"脊形波导"或"锥形放大器"结构在光纤通信（C/L波段）、激光雷达和生物传感等应用中实现高效率（>50%）与低噪声（<-150dB/Hz）特性，是构建光纤放大器、外腔激光器和超快激光系统的关键基础元件。
2、核心特点
基于量子阱/量子点有源区与精密波导结构（如锥形或脊形设计），通过载流子注入实现10-30dB高增益和100-1000mW功率输出，兼具>50%电光转换效率与<-150dB/Hz超低噪声，其创新的"多区电流控制"技术可动态调节光谱特性（带宽达100nm），在光纤通信（C/L波段）、激光雷达（人眼安全波长）及生物传感等应用中成为高性能激光系统的核心引擎，重新定义了半导体光放大的性能边界。
Daisy
电话：18602170419
邮箱：moli@microphotons.com
微信：
Innolume增强光放大器（载体芯片）
BOA1290065CC550MXXXX -> 输出功率为 550mW，平均波长为 1290nm，带宽为 65nm，载波芯片
产品信息产品型号 中心波长饱和输出功率带宽 操作
BOA1300060CC450MXXXX-载体上的增强光放大器
BOA1300060CC450MXXXX
1300nm22dBm60nm 加入询价单
BOA1290065CC550MXXXX-载体上的增强光放大器
BOA1290065CC550MXXXX
1290nm22dBm65nm 加入询价单
BOA1300060CC450MXXXX-载体上的增强光放大器
BOA1300060CC450MXXXX
1300nm22dBm60nm 加入询价单
BOA1290065CC550MXXXX-载体上的增强光放大器
BOA1290065CC550MXXXX
1290nm22dBm65nm 加入询价单
已选0件商品 加入询价单
半导体光放大器芯片
拥有全波段SOA芯片，低噪声指标，宽波段工作范围，大增益输出
产品信息产品型号 中心波长输出功率光斑直径 操作
1550nm SOA COC芯片
SOA1550COC
1550nm16dBm4.5um 加入询价单
1600nm SOA COC芯片
SOA1600COC
1600nm16dBm4.5um 加入询价单
1650nm SOA COC芯片
SOA1650COC
1650nm16dBm4.5um 加入询价单
1550nm SOA COC芯片
SOA1550COC
1550nm16dBm4.5um 加入询价单
1600nm SOA COC芯片
SOA1600COC
1600nm16dBm4.5um 加入询价单
1650nm SOA COC芯片
SOA1650COC
1650nm16dBm4.5um 加入询价单
已选0件商品 加入询价单
INO LaserNGN 高功率超快激光Yb掺镱光纤增益模块 增益Max 30dB 峰值功率500kW
总览 INO LaserNGN针对高峰值功率和高平均功率应用进行了优化。作为增益模块核心的锥形光纤基于我们的低光散射核心化学成分，并具有不一样的专有折射率曲线。因此，在平均输出功率高达100 W的情况下，可实现无TMI运行，并具有出色的光束质量和良好的偏振保持性。该模块可通过其标准10/125 PM输入光纤轻松集成到尾纤振荡器中。
产品信息产品型号 额定输出功率增益带宽 操作
LaserNGN 高功率超快激光Yb掺镱光纤增益模块 30dB 500kW
LaserNGN
100 W1020-1080 nm 加入询价单
LaserNGN 高功率超快激光Yb掺镱光纤增益模块 30dB 500kW
LaserNGN
100 W1020-1080 nm 加入询价单
已选0件商品 加入询价单
光纤耦合弯曲条形增益芯片模块 (调谐范围950-1200nm)
总览 增益模块与增益芯片类似，但一侧耦合到单模光纤中。它非常适用于构建具有光纤输出的可调谐激光器。工厂制造的光纤耦合可确保优化的耦合效率、长期稳定性和出色的可靠性。增益模块消除了对裸增益芯片方案中常用的许多元件的需求，从而大大提高了系统可靠性并降低了成本。增益模块的另一个特点是通过内置TEC和高精度热敏电阻实现温度稳定性。
产品信息产品型号 中心波长输出功率 操作
光纤耦合弯曲条形增益芯片模块 (1030nm 调谐范围宽度130nm)
GM-1030-130-PM-200
1030nm200mW 加入询价单
已选0件商品 加入询价单
激光器增益芯片 780-1330nm
总览 增益芯片是用作外腔半导体激光器或可调谐二极管激光器增益介质的半导体元件。增益芯片被用作TLS（可调谐光源），它可以使用波长选择滤波器（如衍射光栅）来改变振荡波长。增益芯片类似于激光二极管芯片，不同的是它在一个或两个端面上都有较深的抗反射涂层，大大提高或消除了自激阈值。
产品信息产品型号 中心波长调谐范围输出功率正向电流 操作
GCB1330070TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1330070TC200MXXXX
1325nm70nm200mW800mA 加入询价单
GCB1300060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1300060TC200MXXXX
1300nm60nm200mW800mA 加入询价单
GCB1270130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1270130TC200MXXXX
1270nm130nm200mW800mA 加入询价单
GCB1260060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1260060TC200MXXXX
1260nm60nm210mW800mA 加入询价单
GCB1220110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1220110TC200MXXXX
1215nm110nm230mW800mA 加入询价单
GCB1180100TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1180100TC200MXXXX
1170nm100nm210mW600mA 加入询价单
GCB1105130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1105130TC200MXXXX
1105nm130nm200mW400mA 加入询价单
GCB1060150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1060150TC200MXXXX
1060nm150nm210mW400mA 加入询价单
GCB1030160TC100MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1030160TC100MXXXX
1030nm160nm110mW200mA 加入询价单
GCB1030150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1030150TC200MXXXX
1025nm150nm200mW400mA 加入询价单
GCB0950110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0950110TC200MXXXX
950nm110nm200mW400mA 加入询价单
GCB0920090TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0920090TC200MXXXX
905nm90nm200mW400mA 加入询价单
GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0780030TC030MXXXX
775nm30nm33mW150mA 加入询价单
GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1330060TC200MXXXX
1330nm60nm210mW800mA 加入询价单
GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1310060TC200MXXXX
1310nm60nm220mW800mA 加入询价单
GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1270140TC200MXXXX
1270nm140nm220mW800mA 加入询价单
GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1270060TC200MXXXX
1270nm60nm220mW800mA 加入询价单
GCA1260060TC120MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1260060TC120MXXXX
1260nm60nm120mW400mA 加入询价单
GCA1180080TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1180080TC200MXXXX
1180nm80nm220mW600mA 加入询价单
GCA1160090TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1160090TC200MXXXX
1150nm90nm230mW600mA 加入询价单
GCA1110070TC300MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1110070TC300MXXXX
1105nm70nm350mW600mA 加入询价单
GCB1330070TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1330070TC200MXXXX
1325nm70nm200mW800mA 加入询价单
GCB1300060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1300060TC200MXXXX
1300nm60nm200mW800mA 加入询价单
GCB1270130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1270130TC200MXXXX
1270nm130nm200mW800mA 加入询价单
GCB1260060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1260060TC200MXXXX
1260nm60nm210mW800mA 加入询价单
GCB1220110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1220110TC200MXXXX
1215nm110nm230mW800mA 加入询价单
GCB1180100TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1180100TC200MXXXX
1170nm100nm210mW600mA 加入询价单
GCB1105130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1105130TC200MXXXX
1105nm130nm200mW400mA 加入询价单
GCB1060150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1060150TC200MXXXX
1060nm150nm210mW400mA 加入询价单
GCB1030160TC100MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1030160TC100MXXXX
1030nm160nm110mW200mA 加入询价单
GCB1030150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB1030150TC200MXXXX
1025nm150nm200mW400mA 加入询价单
GCB0950110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0950110TC200MXXXX
950nm110nm200mW400mA 加入询价单
GCB0920090TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0920090TC200MXXXX
905nm90nm200mW400mA 加入询价单
GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封装)
GCB0780030TC030MXXXX
775nm30nm33mW150mA 加入询价单
GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1330060TC200MXXXX
1330nm60nm210mW800mA 加入询价单
GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1310060TC200MXXXX
1310nm60nm220mW800mA 加入询价单
GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1270140TC200MXXXX
1270nm140nm220mW800mA 加入询价单
GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1270060TC200MXXXX
1270nm60nm220mW800mA 加入询价单
GCA1260060TC120MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1260060TC120MXXXX
1260nm60nm120mW400mA 加入询价单
GCA1180080TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1180080TC200MXXXX
1180nm80nm220mW600mA 加入询价单
GCA1160090TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1160090TC200MXXXX
1150nm90nm230mW600mA 加入询价单
GCA1110070TC300MXXXX-A型增益芯片(TO封装)
GCA1110070TC300MXXXX
1105nm70nm350mW600mA 加入询价单
展开全部
已选0件商品 加入询价单
自主研发
私人定制
产品资料
正品行货
