筱晓光子推出的Si硅光电二极管，一种基于PN结光生伏特效应的半导体器件，通过硅材料吸收400-1100nm波段光子产生电流，实现光信号至电信号的线性转换。

高灵敏度宽光谱响应（400-1100nm）与快速光电转换，通过硅PN结的低噪声特性实现pW级光强检测，同时保持纳秒级响应速度与线性输出。

筱晓光子推出的GaAs砷化镓光电二极管，一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光电器件，通过砷化镓（GaAs）的窄带隙特性实现800-1700nm波段（近红外至短波红外）的高效光信号探测与电信号转换。

近红外波段（800-1700nm）的高量子效率（＞60%@1300nm）与超快响应（ps级），通过Ⅲ-Ⅴ族半导体特性实现高速光通信和弱光探测，但需主动温控抑制暗电流漂移。

筱晓光子推出的InGaAs铟镓砷光电二极管，一种基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的宽光谱探测器件，通过调节铟镓砷（InGaAs）的组分比实现900-2600nm波段（近红外至短波红外）的高灵敏度光电转换，尤其擅长1.55μm光纤通信波段的超低噪声探测。

宽红外覆盖（900-2600nm）与超高灵敏度（探测率＞10¹² Jones），通过可调带隙设计和雪崩倍增效应实现弱光信号的量子极限探测，但依赖热电制冷维持pA级暗电流。

筱晓光子推出的Ge锗光电二极管，一种基于锗半导体材料的光电器件，利用其窄带隙特性实现800-1800nm近红外波段的光信号探测与电信号转换，尤其适用于低成本红外传感应用。

宽谱近红外响应（800-1800nm）与高吸收效率，凭借锗材料本征吸收特性实现低成本红外探测，但受限于μA级暗电流和温度敏感性，需配合补偿电路使用。

筱晓光子推出的InAs砷化铟光电二极管，一种基于窄带隙Ⅲ-Ⅴ族半导体的红外探测器，通过砷化铟（InAs）的1-3.8μm中红外波段响应特性，实现高温目标探测与分子光谱分析，需深度制冷（77K）抑制本征载流子噪声。

中红外宽域探测（1-3.8μm）与超高本征响应率，通过窄带隙特性实现分子指纹区光谱解析，但依赖液氮制冷（77K）将暗电流压至fA级以维持信噪比。

筱晓光子推出的InAsSb铟砷锑光电二极管，一种基于Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体的宽谱红外探测器，通过调节砷锑组分比实现3-12μm中长波红外探测，在无需制冷（室温）或微制冷（热电制冷）条件下即可实现高灵敏度气体分析与热成像。

宽域中长波红外覆盖（3-12μm）与室温可工作性，通过能带工程实现高探测率（>10¹⁰ Jones）与低暗电流的平衡，成为非制冷红外系统的关键传感器。

筱晓光子推出的MCT碲镉汞光电二极管，一种基于HgCdTe合金可调带隙的红外探测器，通过调节镉组分实现1-30μm全红外波段覆盖，在深制冷（77K）下达成光子级探测极限，成为高精度军用红外与天文观测的金标准。

全红外波段精准可调（1-30μm）与极限探测性能，通过组分梯度技术实现背景限探测（BLIP），在77K低温下暗电流低至电子噪声本底，但依赖复杂晶格匹配工艺与高成本制冷系统。

筱晓光子推出的光电二极管芯片，一种将光信号转换为电信号的半导体器件，基于PN结或PIN结构的光生伏特效应，实现特定波长范围的高灵敏度探测与快速响应。

波长选择性光电转换与低噪声响应，通过半导体能带设计实现特定光谱范围（如紫外-红外）的高量子效率探测，同时优化结电容与载流子渡越时间以获得纳秒级速度。