1、基本定义

通过一系列精密工艺（如光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等），在半导体材料（如硅、GaN、SiC）上构建微型电子器件（晶体管、二极管等）及集成电路（IC）的全流程技术体系。其核心目标是将设计好的电路图案逐层转移到晶圆上，最终切割封装为芯片，实现电子信息的处理、存储与传输功能。

2、核心特点

通过纳米级精度的光刻、刻蚀、沉积等工艺在超净环境中将多层电路结构集成到晶圆上，实现电子器件微型化与高性能化，其核心挑战在于突破物理极限（如量子隧穿）与平衡几何缩微和成本飙升的矛盾。