1、基本定义

基于子带跃迁原理的中红外半导体激光光源，采用InGaAs/InAlAs或InGaAs/AlGaAsSb多量子阱级联结构，通过电子重复利用实现高效光子发射，在气体分子指纹识别（如CO₂ 4.3μm、CH₄ 3.3μm）、工业过程监测和医疗诊断等痕量检测领域具有不可替代的光谱特异性优势。

2、核心特点

基于量子级联效应实现电子重复利用，采用InGaAs/InAlAs或GaAs基应变超晶格结构，在中红外"分子指纹"区域（如CO₂4.3μm、CH₄ 3.3μm）展现出毫瓦级连续输出与0.01cm⁻¹超窄线宽的光谱特性，其单芯片多级联结构（典型30-50级）较传统激光器在气体检测灵敏度（ppb级）和电光转换效率（最高15%）上具有突破性优势，是工业过程监控、环境监测和医疗诊断领域不可替代的光源解决方案。