首页 半导体二极管 DBR二极管 770-900nmDBR二极管

770-900nmDBR二极管

概述

筱晓光子推出的770-900nmDBR二极管,基于AlGaAs/GaAs/InGaAs材料体系的分布式布拉格反射激光器,采用渐变折射率波导与啁啾光栅设计(周期误差±0.2nm)实现宽调谐范围(>15nm)单模输出,在780nm原子冷却、850nm光纤通信和880nm医疗检测等跨波段应用中,兼具50dB边模抑制比和200mW输出功率,其独创的"分段式光栅"结构将波长稳定性提升至±0.01nm/℃,成为近红外多场景应用的革命性光源解决方案。

采用AlGaAs/GaAs/InGaAs多量子阱与啁啾调制光栅(±0.15nm精度)实现15nm宽带调谐和±0.01nm/℃的卓越波长稳定性,在780nm原子钟(1E-13频率稳定度)、850nm数据中心光互连(25Gbps)及880nm医疗诊断三大领域同步突破,其50dB边模抑制比与250mW输出功率的组合性能,配合独创的"数字微镜调谐"技术将切换速度提升至μs级,重新定义了近红外可调谐激光器的性能标杆。

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770-900nm高功率DBR二极管

基于筱晓光子先进的单片集成单频砷化镓(GaAs)激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束,且采用钝化端面设计以确保可靠性。DBR器件适用于基于铷(Rb)的原子光谱学应用。该系列器件通过了光谱认证,能保证在室温 ±10°C 范围内精准覆盖铷的 D2 跃迁谱线。

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