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中红外MIR光电探测器

概述

1、基本定义

基于窄带隙半导体(如InSb、MCT)或热释电材料,通过光热或光电效应将中红外辐射转换为电信号。其需制冷(77K或热电制冷)以降低噪声,探测率>10¹⁰ Jones,适用于气体分析、热成像和军事侦察。

2、核心特点

分子指纹区高灵敏度探测,但制冷需求制约了便携性。

Sherry

电话:16628709332

邮箱:moli@microphotons.com

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中红外MIR光电探测器 玻璃盖板系列 2.83-4.8um

LED Microsensor NT 很高兴地宣布推出具有特殊玻璃覆盖层的新型光电二极管,具有更高的响应度(高达 3-5 倍)。这允许在不同的气体、液体和固体传感和分析应用中获得更高的精度。连同其他优势(紧凑的尺寸、高响应速度),我们的光电二极管成为传感器和分析仪的更令人印象深刻的元件基础。

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