筱晓光子推出的600-700nmVCSEL二极管，600-700nm VCSEL是可见光激光器的重要分支，适用于生物医学、显示和传感等领域，但受限于材料物理特性，其效率、热稳定性和制造难度高于近红外VCSEL。未来，GaN基VCSEL和新型DBR设计可能推动该波段技术的进一步突破。

AlGaInP/GaN材料体系，面临DBR反射率与效率挑战。 低电光效率 & 高阈值电流，但可见光波段不可替代。 适用于生物医疗、显示和3D传感，但需优化热管理。 未来，GaN基VCSEL和新型DBR技术可能推动该波段进一步发展。

筱晓光子推出的700-750nmVCSEL二极管，垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一种半导体激光二极管，其激光发射方向垂直于芯片表面（与边发射激光器不同）。工作波长在700-750纳米（nm）范围内的VCSEL属于近红外到可见光红光波段

采用优化AlGaAs材料体系，在效率与波长间取得平衡 。具有独特的生物组织相互作用特性，是医疗传感的理想选择。性能介于可见光与近红外VCSEL之间，面临特殊的可靠性挑战

筱晓光子推出的750-830nmVCSEL二极管，基于成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具良好的性能与可靠性。在通信、传感等领域具有关键应用价值。持续向更高功率、更高速率方向发展。

基于高度成熟的GaAs/AlGaAs材料体系。兼具高效率、高可靠性和低成本优势。在通信、传感领域占据主导地位。正向更高功率、更高速率方向发展。

筱晓光子推出的830-870nmVCSEL二极管，基于GaAs/AlGaAs材料体系的垂直腔面发射激光二极管，具有高效率（35-55%）、高调制带宽（5-30GHz）和优异可靠性等特点，主要应用于高速光通信（850nm窗口）、3D传感和工业检测等领域，是近红外波段的核心光源解决方案。

采用成熟的GaAs/AlGaAs材料体系，具有高效率（35-55%电光转换）、高调制带宽（5-30GHz）和优异热稳定性，适用于高速光通信和3D传感应用，兼具低阈值电流（0.8-3mA）和高功率输出（10-100mW）的优异性能。

筱晓光子推出的870-900nmVCSEL二极管，基于GaAs/AlGaAs材料体系的垂直腔面发射激光器，工作在近红外波段，具有高效率（30-50%）、中等功率（10-50mW）和良好热稳定性，主要应用于工业传感、医疗设备和特定通信场景，是介于传统850nm和长波长VCSEL之间的过渡波段解决方案。

采用优化AlGaAs量子阱结构实现近红外发射，兼具高电光效率（30-50%）、优异热稳定性和10-50mW中等功率输出，特别适用于对波长有特殊要求的工业传感和医疗检测应用，其波长特性填补了传统850nm与长波长VCSEL之间的应用空白。

筱晓光子推出的900-1200nmVCSEL二极管，900-1200nm VCSEL通过特殊材料设计实现长波长发射，虽效率与成本略逊于850nm器件，但在LiDAR、医疗等特定领域具有不可替代性，是近红外至短波红外应用的关键光源。

采用GaAs/InP双材料体系实现近红外至短波红外发射，兼具人眼安全优势（1064-1200nm）与硅/InGaAs探测器兼容性，在LiDAR（905/1064nm）、医疗（980nm）和气体传感（1176nm）等特殊应用场景中展现出不可替代的波长特异性与系统集成优势。

筱晓光子推出的1200-1350nmVCSEL二极管，基于InP/GaAs材料体系的短波红外垂直腔面发射激光器，采用InGaAsP/InP量子阱或GaAsSbN新型结构实现长波长发射，主要应用于1310nm光通信、气体传感和医疗成像等特殊场景，是填补传统近红外与中红外激光技术空白的关键器件。

基于InP/GaAs异质集成技术实现短波红外发射，突破传统材料波长限制，在1310nm光通信、甲烷检测（1330nm）和生物组织成像等特殊应用中展现出独特的光谱匹配优势，同时面临DBR反射率不足和高温稳定性等关键技术挑战。

筱晓光子推出的1350-1500nmVCSEL二极管，基于InP/InGaAsP材料体系的通信波段垂直腔面发射激光器，采用应变补偿量子阱和复合DBR结构实现长波长发射，主要面向1550nm光纤通信、气体分子检测（如1392nm水汽吸收线）和中红外光学传感等高端应用，是突破传统VCSEL波长限制的前沿器件。

基于InP/InGaAsP应变超晶格和复合DBR技术实现通信波段激光发射，兼具低阈值（1.8-3.5kA/cm²）和高单模纯度（边模抑制比＞35dB）的特性，在1490nm波分复用、1383nm气体传感等高端应用中展现出不可替代的光谱精准匹配优势。

筱晓光子推出的1500-1600nmVCSEL二极管，基于InP/InGaAlAs材料体系的通信波段垂直腔面发射激光器，采用应变补偿多量子阱和混合DBR技术实现C-band（1530-1565nm）和L-band（1565-1625nm）发射，具有单模稳定性（SMSR>40dB）和低阈值特性（1.5-3kA/cm²），是面向5G光通信（1550nm）、甲烷激光雷达（1570nm）和量子光学等高端应用的新型光源解决方案。

采用InGaAlAs/InP量子阱混合DBR技术实现通信波段精准发射，兼具超低阈值（1.2-2.8kA/cm²）和超高边模抑制比（＞45dB）的突破性性能，在5G光传输（1550nm）、温室气体监测（1572nm）和量子通信等尖端领域展现出波长不可替代性，代表着长波长VCSEL技术的最高水平。

筱晓光子推出的1600-1700nmVCSEL二极管，基于InP/InGaAs材料体系的超长波长垂直腔面发射激光器，采用应变补偿量子点和复合介质膜DBR技术实现L-band（1565-1625nm）和U-band（1625-1675nm）发射，具有超窄线宽（<0.1nm）和超高温度稳定性（±0.01nm/℃），是面向下一代光纤通信（1625nm监控波段）、中红外光谱分析（1650nm分子指纹区）和空间激光通信等尖端应用的革命性光源。

采用InP基InGaAs/InAlGaAs应变超晶格与复合介质膜DBR技术，实现超窄线宽（<0.1nm）和超高波长稳定性（±0.01nm/℃）的L/U波段发射，在1625nm光纤监控、1650nm分子指纹检测和空间激光通信等尖端领域具有不可替代的光谱精准性，其单晶圆集成特性较传统DFB激光器可降低40%系统功耗。