扫描开尔文探针(分辨率20um)|材料表面分析

扫描开尔文探头可以测量 CPD（接触电位差）值，评估半导体和导电材料的功函数。测量不仅可以在样品表面的单点进行，还可以对整个表面进行扫描。 功函数测量在半导体物理学中特别有用，因为它提供了被测材料费米级的位置。 配备光源的开尔文探头可以检测样品的电子表面状态。电子的表面状态在电荷转移中起着重要作用，这对光伏材料和光电化学尤其重要。 通过扫描样品表面并检查其电学特性，可以精确评估材料的质量及其均匀性。 实验过程中收集的一系列数据可用于更精确地评估功函数。

强度调制光电流和光电压光谱系统|材料分析

强度调制光电流和光电压光谱系统可以进行与静态光电压/光电流测量互补的样品检测。单色LED具有调制正弦波形的光强度，可在宽频率范围内工作，可用于研究许多动力学参数：扩散参数、样品的时间尺度（载流子传输时间、复合速率等等）。对于浸入电解液中的光电化学样品，可以从两侧照射样品：透过电解液，用于研究电解液-样品表面界面；或透过后光学窗口，用于研究基底-样品界面。样品装置放置在样品室中，该样品室可屏蔽环境光和外部电磁场。

100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (750um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (500um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

28Gbaud InGaAs PIN PD 1x4 Array Chip φ18um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1x4 Array PD Chip φ32um

InGaAs 高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (750um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (250um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

保偏光子晶体光纤连接器(1550nm 插损≤0.6dB)|光纤陀螺

本产品采用具有自主知识产权的特殊技术制备及模块化封装。可提供标准规格产品及特殊订制化服务。保偏光子晶体光纤可应用于光纤陀螺以及偏振相关器件领域，具有抗辐照、双折射效应高和优良的温度稳定性。该光纤空气与玻璃间具有大折射率阶跃，产生强的双折射，使得其拍长短，相比传统的保偏光纤，保偏光子晶体光纤可以减小弯曲引起的不同偏振态之间的耦合，保持大的消光比。

多芯MT-FA(插损≤0.5dB 串扰≤-50)|光通信

多芯MT-FA 光组件是实现模块内光芯片与模块外多 芯光纤高效耦合的关键器件。本产品采用具有自主 知识产权的特殊技术制备及模块化封装。可提供标 准规格产品及特殊订制化服务。广泛适用于数据中 心光通信，光互连等领域应用需求。