Si平衡探测器 400MHz 400-1100nm FC/APC

Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。

Si平衡探测器 300MHz 400-1100nm FC/APC

Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。

400-1100nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限探测器 光敏面直径10mm 直流响应度0.3A/W)

器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。

Si平衡探测器 200MHz 400-1100nm FC/APC

Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。

Si平衡探测器 100MHz 400-1100nm FC/APC

Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。

InGaAs 单元探测器 PD-100M-A

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出 信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、 低噪声等特点。

InGaAs 单元探测器 PD-200M-A

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出 信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、 低噪声等特点。

InGaAs 单元探测器 PD-300M-A

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出 信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、 低噪声等特点。

InGaAs 单元探测器 PD-400M-A

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出 信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、 低噪声等特点。

InGaAs 单元探测器 PD-500M-A

高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、 低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出 信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、 低噪声等特点。

Ge 锗 大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 5mm）

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。