1-15um 中红外光浸没式MCT两级TE冷却光电导探测器 PCI-2TE系列 TO8

PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器，采用光学浸没来提高器件的性能，具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt条件下性能达到z佳。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。设备应该在优秀的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，探测器在低频时性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

铟镓砷 InGaAs 交流耦合高速双平衡 低噪声光电探测器WL-BPD220MA (220 MHz）

BPD220MA是InGaAs的一款交流耦合高速光敏接收器。它具有高跨阻增益、低噪声和-3 dB带宽(220 MHz)等特征。BPD220MA采用坚固的铝制外壳，配有两个光纤接收器和一个ΩSMA输出。采用11–15VDC单电源供电。如有要求，可根据要求提供不带外壳的OEM版本。

1-12um 中红外非冷却光浸没式MCT光电导探测器 PCI系列

PCI系列是基于复杂的MCT异质结构的非冷却红外光电导探测器，通过光学浸没来改善器件的参数，具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时工作性能佳。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。此设备应该在优秀的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频时探测器的性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。

1-16um 中红外光浸没式MCT四级TE冷却光电导探测器 PCI-4TE系列

PCI-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电导探测器，采用光学浸没以提高探测器的性能，使其具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时性能佳。截止波长受GaAs透过率(~0.9 μm)的限制。设备应该在优秀的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频时探测器性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干扰效应。

铟镓砷 InGaAs 交流耦合高速双平衡低噪声光电探测器 WL-BPD1GA（1 GHz）

BPD1GA是InGaAs的一款交流耦合高速双平衡光接收器。由于其高跨阻增益、极低噪声和1 GHz带宽，非常适合超高速扫频光源OCT系统，深度扫描线速率高达1 MHz以上。BPD1GA带有坚固的铝制外壳，配有两个光纤接收器和一个50 Ω SMA输出。它采用11–15 V DC单电源供电。如有要求，可提供不带外壳的OEM版本。

1-15um 中红外光浸没式MCT三级TE冷却光电导探测器 PCI-3TE系列

PCI-3TE系列是基于复杂的MCT异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，采用光学浸没来提高探测器的性能，具有优秀的性能和稳定性。探测器在Image时被性能佳。截止波长受GaAs透过率(~0.9 μm)的限制。设备应该在优秀的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频时探测器的性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。带有3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干扰效应。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (5MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (2MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (12MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (25MHz)

铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。