硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm ϕ1mm

APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ3mm

APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜200ps，InGaAs，抛光玻璃)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜40ps，InGaAs，抛光玻璃)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜150ps，InGaAs，抛光玻璃)

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ1mm

APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜35ps，InGaAs，抛光MgF₂)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜35ps，InGaAs，Diffuse, quartz)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间<35ps，InGaAs，FC/PC)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜35ps，InGaAs，Fiber w. FC/APC)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜300ps，Si，抛光玻璃)

Alphalas UPD超快光电探测器 (上升沿时间＜30ps，GaAs，抛光玻璃)