λ-Master 1040nm 可调谐窄线宽激光器 60mW (线宽＜100KHz 带PZT调制)

λ-Master 1040 TL-980-FA系列980nm窄线宽可调谐激光器，具有调谐速度快，线宽窄高输出功率等特点。我们可以更具客户需求内置PZT来实现高精度调谐，也可以内置隔离器保护激光器。我们利用美国技术上认可技术对光栅镜进行马达旋转控制，从而实现不同波长的光输出。

SANTEC 高性能高速波长可调谐激光器 ＞10mW TSL-570 1260-1360nm

基于33年可调谐激光器制造经验，Santec开发出了全新机型TSL-570。TSL-570是一款宽调谐范围，高输出光功率及高信噪比的高性能可调谐激光器。采用全新光学共振器设计，精确扫描速度高达200nm/s，亚皮米分辨率及精度。

TDLAS控制板 /FPGA全数字设计

PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全数字设计的控制板，专业用于TDLAS技术可调谐半导体激光器的控制，集成了兼容InGaAs和InAs探测器的前置放大器，以及一个专业提取二次谐波信号的FPGA-based全数字检波器，FPGA-based激光驱动器和波形发生器；激光功率和二次谐波信号输出；利用压力和温度传感器调节回路，使输出同步到外部数据采集系统。

TDLAS激光气体分析综合控制器 1.0A 3.3V

本产品是一款用于可调谐半导体激光吸收谱技术（可调谐半导体激光吸收谱技术（TDLAS））的控制模块。主要功能包括：产生正弦波与三角叠加的数字激光驱动、可调增益、可调增益放大器、1f/2f 数字锁相放大器、模拟输出温控单元。运行参数及波形均可由电脑端控制和读取。

中红外TDLAS CO/CO2(一氧化碳/二氧化碳) ppb级浓度分析系统

TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy ）它是利用激光器波长调制通过被测气体的特征吸收区，在二极管激光器与长光程吸收池相结合的基础上，发展起来的新的气体检测方法。 TDLAS技术采用的半导体激光光源的光谱，宽度远小于气体吸收谱线的展宽，得到单线吸收光谱，因此TDLAS技术是一种高分辨率吸收光谱技术

近红外TDLAS CH4(甲烷)ppb级浓度分析系统 1653.73nm

TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy）它是利用激光器波长调制通过被测气体的特征吸收区，在二极管激光器与长光程吸收池相结合的基础上，发展起来的新的气体检测方法。 TDLAS技术采用的半导体激光光源的光谱，宽度远小于气体吸收谱线的展宽，得到单线吸收光谱，因此TDLAS技术是一种高分辨率吸收光谱技术。

7.4um QCL 结合空芯光纤气体吸收池分析系统 (实验分析空气中 H2O 一氧化二氢 水)

7.4um QCL结合空芯光纤气室气体分析系统 分析空气中(H2O)

近红外TDLAS C2H2 (乙炔) ppb级浓度分析系统

TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy ）它是利用激光器波长调制通过被测气体的特征吸收区，在二极管激光器与长光程吸收池相结合的基础上，发展起来的新的气体检测方法。

中红外TDLAS (二氧化硫) SO2 ppm级浓度分析系统

TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy ）它是利用激光器波长调制通过被测气体的特征吸收区，在二极管激光器与长光程吸收池相结合的基础上，发展起来的新的气体检测方法。 TDLAS技术采用的半导体激光光源的光谱，宽度远小于气体吸收谱线的展宽，得到单线吸收光谱，因此TDLAS技术是一种高分辨率吸收光谱技术。

中红外法布里-珀罗F-P干涉仪( F-P标准具/多光束干涉仪 2.5-14um)

法布里－珀罗干涉仪（英文：Fabry–Pérot interferometer），是一种由两块平行的玻璃板组成的多光束干涉仪。其中两块玻璃板相对的内表面都具有高反射率。当两块玻璃板间用固定长度的空心间隔物来间隔固定时，它也被称作法布里－珀罗标准具或直接简称为标准具。

超快亚太赫兹探测器,响应时间 150 ps

TeraSense的超快探测器ULTRAFAST，通过直接观察其脉冲响应函数证实响应时间小于150 ps。用广谱范围为0.1至3THz的，200nJ、1ps的激光脉冲激发该探测器，其响应由高速示波器记录。响应功能显示了由示波器4 GHz带宽限制的150 ps的上升和下降时间。测量的短响应时间使得我们的探测器可以直接研究THz科学和电信中的快速瞬态过程。 尽管TeraSense检测器的频率响应不是连续的，而是由多个频带组成，但是在较宽的频率范围内依然是敏感的。为适应客户的要求，响应曲线中的峰值位置是在制造阶段进行调整的。