GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.2mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.3mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 0.5mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 1mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

HDPE 太赫兹窗片 直径49.5mm 厚度5mm

M300054是一种分子量分布窄的高密度聚乙烯，适用于注塑应用。它的设计具有良好的流动性能、低翘曲、良好的尺寸稳定性和高光泽度.

GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 2mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.05mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.1mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

横河短波长光谱分析仪AQ6373B 350nm-1200nm

AQ6373B是AQ6370系列家族的新的成员之一，波长范围在350nm至1200nm之间， 具备高速精确的分析能力，应用范围极为广泛。AQ6373B有助于加快短波长激光器、无源器件、LED以及在生物、材料加工、消费品和电信等应用中使用这些器件的装置的开发和生产速度。

单通道太赫兹频域光谱仪 (1850GHz 频率分辨率 1000MHz)

多功能PB7220-2000-T/R太赫兹频率分析光谱仪专为精确扫描复杂化合物而设计，具有更高的精度和控制能力。当研究太赫兹和应用开发人员需要以高分辨率研究太赫兹频率下的材料特性时，PB7220太赫兹频域分析光谱仪是一个理想选择。从100 GHz扫描到1.8 THz以上的单次快速扫描，其频率分辨率高于0.25 GHz。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.15mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.2mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。