75mm焦距太赫兹透镜

Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。

100GHz太赫兹源，射频输出功率80mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

100GHz太赫兹源，射频输出功率180mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

100GHz太赫兹源，射频输出功率400mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

100GHz太赫兹源，射频输出功率0.8W

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

100GHz太赫兹源，射频输出功率1.6W

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

140GHz太赫兹源，射频输出功率30mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

140GHz太赫兹源，射频输出功率80mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

140GHz太赫兹源，射频输出功率180mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率40mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率70mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率200mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。