首页 光电探测器 光电二极管 MCT碲镉汞光电二极管 碲镉汞 MCT(HgCdTe) 中红外光伏探测器 2-13um 2-12um MCT中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列
  • 2-12um MCT中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列

    PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有他本身的z佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

    产品特点中红外波段响应;两级TE制冷;光浸式设计;高探测率;低噪声性能

    产品货号E80040149

    应用领域气体分子检测 | 热成像系统 | 光谱分析 | 环境监测 | 工业过程控制

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    Sherry

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    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 波长范围

    2-12μm

  • 尺寸图
  • 型号参数

    参数

    探测器型号

    PVI-2TE-3

    PVI-2TE-3.4

    PVI-2TE-4

    PVI-2TE-5

    PVI-2TE-6

    PVI-2TE-8

    PVI-2TE-10.6

    有源元件材料

    外延MCT异质结构

    z佳波长λopt,μm

    3

    3.4

    4

    5

    6

    8

    10.6

    探测灵敏度D*(λpeak,20kHz),cm·Hz½/w

    ≥8×1011

    ≥6×1011

    ≥4×1011

    ≥2×1011

    ≥7×1010

    ≥4×109

    ≥2×109

    探测灵敏度D*(λopt,20kHz),cm·Hz½/W

    ≥5.5×1011

    ≥3×1011

    ≥3×1011

    ≥9×1010

    ≥4×1010

    ≥2×109

    ≥1×109

    电流响应度Ri(λopt),A/W

    ≥0.5

    ≥0.8

    ≥1.3

    ≥1.3

    ≥1.5

    ≥0.8

    ≥0.4

    时间常数T,ns

    ≤280

    ≤200

    ≤100

    ≤80

    ≤50

    ≤45

    ≤10

    电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2

    ≥15000

    ≥300

    ≥200

    ≥10

    ≥2

    ≥0.02

    ≥0.01

    有源元件温度Tdet,K

    ~230

    感光面面积AO,mm×mm

    0.5×0.5,1×1

    0.05×0.05

    封装

    TO8,TO66

    接收角Φ

    ~36°

    窗口

    wAl2O3

    wZnSeAR

     

    封装外形尺寸图


    TO8型封装外形尺寸图

    图片5.png 

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    4.1±0.3

    3.2±0.3

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—2TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    2TE-TO8引脚定义

    功能

    PIN号

    探测器

    1,3

    反向偏压(可选)

    1(-),3(+)

    热敏电阻

    7,9

    TE冷却器供应

    2(+),8(-)

    底板接地

    11

    未使用

    4,5,6,10,12

     

    2TE-TO66封装尺寸图

    图片6.png 

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    5.15±0.30

    3.2±0.30

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—2TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    TO66引脚定义

    功能

    PIN号

    探测器

    7,8

    反向偏压(可选)

    7(-),8(+)

    热敏电阻

    5,6

    TE冷却器供应

    1(+),9(-)

    未使用

    2,3,4

    特性曲线

    探测器光谱响应特性曲线

    图片7.png 

    热敏电阻特性曲线

    图片8.png 

    两级TE冷却参数表

    参量

    数值

    Tdet K

    ~230

    Vmax V

    1.3

    Imax A

    1.2

    Qmax W

    0.36

     

    抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

    图片9.png 

     


    可选配置表

    产品资料

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