• 950-1650nm InGaAs单光子阵列探测器组件

    MP6514S型探测器组件由4×4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95-1.65 μm的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。

    产品特点单光子灵敏度;阵列式探测;InGaAs材料;低暗计数;高时间分辨率

    型号MPD-LTD-M-I-9V-4x4

    应用领域量子通信 | 激光雷达 | 荧光寿命成像 | 生物医学 | 弱光探测

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    Sherry

    电话:16628709332

    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 工作波长

    950-1650nm

  • 尺寸图
  • 型号参数

    探测器面阵规格


    性能描述

    器件类型

    InGaAs APD

    阵列规模

    4×4

    像元大小

    100μm×100μm

    光敏面大小[1]

    85μm×85μm

    光窗

    石英光窗

    感光靶面至光窗外表面间距

    4mm (光窗厚度为1mm )

    [1]:单片集成微透镜焦距150μm。


    主要性能指标(Tc=22+3℃)

    特性参数

    参数指标

    工作波长[1]

    0.95-1.65μm

    探测效率

    ≥10% ( 1.57+0.05μm)

    暗计数率

    ≤10KHz

    时间抖动

    ≤500ps

    死时间

    100 ~ 1000ns可调

    有效像元率

    100%

    [1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

    jue对Max. 额定值

    参数

    额定值

    单位

    工作温度范围Tc

    -40~+55

    °C

    贮存温度范围TSTG

    -40~+70

    °C

    Max. 功耗P

    15

    W

    输入偏置范围VR

    4.9~5.5

    V

    静电放电敏感度ESD

    1000~2000

    V

    质量可靠性保证

    ● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

     

    封装外形结构与尺寸


    封装外形结构与尺寸(单位: mm )

     

     

    电学接口

    图片3.png 

    ●电源输入: +5V

    ●数据输出类型: TTL

    ●控制命令接口: J63A-31

    ●电源输入接口类型: J30J

    ●数据输出接口类型: J63A-31

    ●外触发接口: SSMA

    接口编号

    功能

    1

    SSMA-1:内同步信号输出

    2

    SSMA-2:外同步信号输入

    3

    J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口

    4

    J30J: +5V单电源供电


    可选配置表

    产品资料

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