产品特点3dB电光带宽＞145 GHz；集总式低电容射频设计；芯片尺寸 1.5 mm ×2 mm；支持 O/C 波段工作；采用平衡型（bMZM）或非平衡型（iMZM）结构；提供单通道或 4 通道器件选项
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应用领域超高速太比特光通信系统 | 太赫兹技术与微波光子学 | 尖端测量与传感系统 | 科学研究
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Moli
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峰值波长
1310 nm/1550 nm
性能数据
参数 | O 波段（bMZM） | O 波段（iMZM） | C 波段（bMZM） | C 波段（iMZM） |
峰值波长 | 1310 nm | ~ 1310 nm | 1550 nm | ~ 1550 nm |
插入损耗（IL） | <17 dB | <17 dB | <16 dB | <16 dB |
静态消光比（ER） | >25 dB | >20 dB | >25 dB | >20 dB |
直流偏置开关电压 | <1.5 V | <1.5 V | <1.5 V | <1.5 V |
3 dB电光带宽 | >145 GHz | >145 GHz | >145 GHz | >145 GHz |
100 kHz 下 50 Ω等效半波 电压 * | <4 V | <4 V | <5 V | <5 V |
最大额定值
光输入功率 ** | t bd | t bd | 9 dBm | 9 dBm |
50Ω射频输入功率 | 18 dBm | 18 dBm | 18 dBm | 18 dBm |
射频输入端直流电压 | 0 V | 0 V | 0 V | 0 V |
直流偏置电压 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
直流偏置电流 | 15 mA | 15 mA | 15 mA | 15 mA |
工作 / 存储温度 ** | ~25 °C | ~25 °C | ~25 - 50 °C | ~25 - 50 °C |
*等离子体调制器为高阻抗器件。50Ω信号源提供的电压中，有两倍电压会降落在等离子体调制器上。若使用直流电源或 高阻抗匹配驱动器，需两倍电压方可将调制器从开启状态切换至关闭状态。
** 3 dB工作点。基于在50°C 、输入功率9 dBm 条件下运行500小时的可靠性数据，其半波电压（Vₚ) 衰减小于10%。
机械与光学参数
参数 | bMZM（平衡型马赫 - 曾德 尔调制器） | iMZM（非平衡型马赫 - 曾德尔调制器 ) |
光输入与输出 | 光栅耦合器（GC），127 μm 间距 | 光栅耦合器（GC），127 μm 间距 |
光栅耦合器角度对应的中 心波长 | 8° 时为 1310/1550 nm | 8° 时为 1310/1550 nm |
所需光源 | 峰值波长激光源 | 可调谐激光源，峰值波长 ±10 nm 范 围 |
电射频接口 | G-S-G（地 - 信号 - 地）， 65-200 μm 间距 | G-S-G（地 - 信号 - 地），50-110 μm 间距 |
直流电接口 | + / - ，30-210 μm 间距 | + / - ，30-170 μm 间距 |
特性曲线
无
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