产品特点3 dB电光带宽＞145 GHz；集总式低电容射频设计；芯片尺寸 1.5 mm ×2 mm；支持 C 波段工作；采用单端驱动（SD）或差分驱动（DD）结构
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应用领域超高速太比特相干光通信 | 高端微波光子学与太赫兹信号生成 | 尖端测量与传感系统 | 前沿科学研究
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Moli
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峰值波长
1550 nm
性能参数
参数 | 单端驱动（ SD） | 差分驱动（ DD） |
峰值波长 | 1550 nm | 1550 nm |
插入损耗（IL） | < 17 dB | < 17 dB |
静态消光比（ ER） | > 25 dB | > 25 dB |
直流偏置开关电压 | < 1.5 V | < 1.5 V |
3 dB电光带宽 | > 145 GHz | > 110 GHz |
100 kHz 下 50 Ω等效半波电压 * | < 5 V | < 5 V |
最大额定值
参数 | 单端驱动（ SD） | 差分驱动（ DD） |
光输入功率 ** | 9 dBm | 9 dBm |
50 Ω射频输入功率 | 18 dBm | 18 dBm |
射频输入端直流电压 | 0 V | 0 V |
直流偏置电压 | 2.5 V | 2.5 V |
直流偏置电流 | 15 mA | 15 mA |
工作 / 存储温度 | ~25 °C | ~25 °C |
*等离子体调制器为高阻抗器件。50 Ω信号源提供的电压中，有两倍电压会降落在等离子体调制器上。若使用直流电源或高阻抗匹配驱动器，需两倍电压方可将调制器从开启状态切换至关闭状态。
** 3 dB工作点。基于在 50°C 、输入功率 9 dBm 条件下运行 500 小时的可靠性数据，其半波电压（V ₚ) 衰减小于 10%。
参数 | 单端驱动（ SD） | 差分驱动（ DD） |
光输入与输出 | 光栅耦合器（ GC） ，127 μm 间距 | 光栅耦合器（ GC） ，127 μm 间距 |
光栅耦合器角度对应的中心波长 | 8° 时为 1550 nm | 8° 时为 1550 nm |
所需光源 | 峰值波长激光源 | 峰值波长激光源 |
电射频接口 | G-S-G（地 - 信号 - 地） ，70-215 μm 间 距 | S-S-1 ，170-400 μm 间距 |
直流电接口 | + -/ + - / + - ，150 μm 间距 | + - / + - / + - ，150 μm 间距 |
无
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