InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点φ18um有效面积；高响应度；GSG电极结构
型号无
应用领域IEEE 200Gbps Ethernet | 光纤数据通信
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Sherry
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无
无
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.9 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.01 | 0.1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.06 | 0.10 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 25 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 18 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250 | um |
无
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