InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点数据速率高达 200-800Gbps；底部发光平面结构；GSG 电极结构
型号无
应用领域IEEE 200/800Gbps Ethernet | 200G CWDM4,PSM4,LR4
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Sherry
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邮箱：moli@microphotons.com
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规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.7 | A/W | λ=1310-1550nm | ||
暗电流 | ID | 0.1 | 1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.06 | pF | VR=-2V,f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 60 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 10 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 750/500 | um |
无
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