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InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点数据速率高达2.5Gbps;φ55um有效面积;高响应度;顶照式平面结构
型号无货号无
应用领域EPON ONU | 2.5Gbps 接收器 | 光纤数据通信
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无
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
响应范围
λ
900
1650
nm
响应度
R
0.8
0.95
A/W
λ=1310-1550nm
暗电流
ID
0.05
0.3
nA
VR=-5V
电容
C
0.30
0.5
pF
VR=-2V,f=1MHz
带宽
Bw
3.0
GHz
VR=-2V 3dB down,RL=50Ω
有效区直径
D
55
um
芯片尺寸
220*220*120
L*W*H
1.25-2.5 Gbps InGaAs PIN PD Chip φ55um.pdf
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