MP-MIR-4-20 是一款基于 InAsSb 异质结构的中波红外光伏型多结探测器，集成单级热电制冷器、热敏电阻温度传感器以及平面硅增透窗口。探测器在环境温度为 293 K 时，可通过内部一级热电制冷器将芯片典型工作温度降低至约 253 K，从而提高峰值探测率、动态电阻及整体信噪性能。器件采用背面入射结构，光敏面积为 1 mm × 1 mm，适用于气体分析、非接触测温、火焰探测及工业红外监测等应用。
产品特点光谱范围：2.0 至 5.5 μm；大面积光敏面；单级热电制冷；符合 RoHS 标准的 III-V 族材料；背照式结构；长期稳定性
型号MP-MIR-4-20
应用领域非接触式温度测量 | 火焰及爆炸探测 | 威胁预警系统 | 热源搜寻、热特征信号探测 | 牙科应用 | 气体检测、监测与分析 | 呼气分析
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Sherry
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探测器类型 光敏面积 光学浸没
光伏型、多结 1 mm × 1 mm 无
技术规格表
探测器配置
项目 | 参数 |
探测器类型 | 光伏型、多结 |
光敏材料 | 外延 InAsSb 异质结构 |
制冷方式 | 单级热电制冷器，1TE |
典型芯片温度 | 约 253 K |
温度传感器 | 热敏电阻 |
光敏面积 | 1 mm × 1 mm |
入射方式 | 背面入射 |
光学浸没 | 无 |
封装 | 1TE-TO39 |
引脚数量 | 8 |
典型接收角 | 约 70° |
窗口材料 | 平面硅窗口 |
窗口镀膜 | 增透膜，pSiAR |
光电性能参数（热电制冷工作状态）Tchip ≈ 253 K
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
起始响应波长，10% | λcut-on | — | 2.0 | — | μm |
峰值响应波长 | λpeak | — | 4.0 | — | μm |
截止响应波长，10% | λcut-off | — | 5.5 | — | μm |
峰值探测率，20 kHz | D* | 3.0 × 10⁹ | 1.0 × 10¹⁰ | — | cm·Hz¹ᐟ²/W |
峰值电流响应率 | Ri | 0.08 | 0.18 | — | A/W |
时间常数 | τ | — | 20 | 80 | ns |
动态电阻 | Rd | 1 | 4 | — | kΩ |
光电性能参数（非制冷参考状态）Tchip ≈ 293 K
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
起始响应波长，10% | λcut-on | — | 2.0 | — | μm |
峰值响应波长 | λpeak | — | 4.0 | — | μm |
截止响应波长，10% | λcut-off | — | 5.9 | — | μm |
峰值探测率，20 kHz | D* | 1.0 × 10⁹ | 3.0 × 10⁹ | — | cm·Hz¹ᐟ²/W |
峰值电流响应率 | Ri | 0.06 | 0.16 | — | A/W |
时间常数 | τ | — | 30 | 160 | ns |
动态电阻 | Rd | 0.15 | 0.45 | — | kΩ |
测试条件：
环境温度：Tₐₘᵦ = 293 K
偏置电压：Vᵦ = 0 V
除特殊说明外，参数为典型值
绝对最大额定值
参数 | 条件或说明 | 额定值 | 单位 |
环境工作温度 | 环境温度高于30°C时，芯片温度可能升高并导致性能下降 | -20～70 | °C |
储存温度 | — | -20～85 | °C |
焊接温度 | 持续时间不超过5秒 | ≤370 | °C |
储存湿度 | 不得结露 | 10～90 | % |
最大入射光功率密度 | 连续光或脉宽大于1 μs的单脉冲 | 100 | W/cm² |
最大入射光功率密度 | 脉宽小于1 μs的单脉冲 | 1 | MW/cm² |
最大偏置电压 | Vb max | -2.0 | V |
最大TEC电压 | 单级TEC | 0.4 | V |
最大TEC电流 | 单级TEC | 1.67 | A |
推荐工作条件
项目 | 推荐设置 |
环境温度 | 约20°C，或接近293 K |
探测器偏压 | 0 V，零偏压工作 |
芯片工作温度 | 约253 K |
TEC驱动方式 | 恒流或闭环温控 |
温度反馈 | 使用内置热敏电阻 |
信号读取 | 低噪声跨阻放大器 |
推荐调制频率 | 根据光源、前置放大器及信噪要求确定；额定探测率测试频率为20 kHz |
光学保护 | 避免入射光功率超过额定值 |
使用环境 | 避免结露、污染及强机械冲击 |
光谱响应特性图
无
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