大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)
大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)
高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列,具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点,可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装, 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。Sherry
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产品信息 光谱响应光敏面直径 操作
InGaAs 铟镓砷大光敏面APD芯片 光敏面直径200um
0.9-1 .7um200±2um 加入询价单
InGaAs 铟镓砷大光敏面APD芯片 光敏面直径200um
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