900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型
P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC Φ0.3~3mm TO8封装
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 Φ3.0mm/Φ1.5mm
铟镓砷 InGaAs (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39 光敏面3mm
1.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管 Φ0.3 mm
铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm
铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um
铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型
InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
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产品信息 光谱响应范围响应度 操作
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
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