【资讯】用于神经形态图像传感器的感存算一体化二极管

中国科学技术大学 Haiding Sun (孙海定) 团队证明，利用能带结构工程方法可以构建集成光传感、存储和处理功能于一体的p-n二极管。该二极管由垂直生长在硅衬底上的p-GaN/n-AlGaN/n-GaN纳米线构成，其中n型AlGaN段较大的带隙在GaN p-n结中形成电子库。

图1：基于多功能p-n二极管架构的三合一图像传感器

图2：二极管的光传感和光突触表征

图3：在±1 V偏压下的光记忆行为

图4：利用三合一器件阵列进行光传感、噪声抑制和图像分类的过程示意图

这种嵌入式电子库结构能够实现对电荷俘获和释放过程的精确控制，超越了常见的p-n结工作模型，从而实现了偏置可调的光传感特性（响应度高达10.45 mA W?¹）、光突触特性（双脉冲促进比高达122%）以及具有八个线性状态的光存储特性。作者证明，这种三合一二极管阵列可用于构建紧凑、节能的图像传感器，无需额外电路即可实现去噪和图像分类功能。

参考文献： 中国光学期刊网

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