筱晓光子推出的1550-2000nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的1360-1550nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的1290-1360nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的1190-1290nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的1080-1190nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的1060-1080nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的980-1060nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的850-980nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的700-850nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。

筱晓光子推出的405-700nmFP二极管，FP二极管是一种快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），采用外延工艺（Epitaxial）制造，具有反向恢复时间短、开关速度快、低功耗等特点，广泛应用于高频开关电路、电源管理等领域。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time）通常在几十纳秒（ns）至几百纳秒，比普通整流二极管快得多，适合高频应用。