GaSe硒化镓晶体 10 x 10 x 2mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.05mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.1mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

横河短波长光谱分析仪AQ6373B 350nm-1200nm

AQ6373B是AQ6370系列家族的新的成员之一，波长范围在350nm至1200nm之间， 具备高速精确的分析能力，应用范围极为广泛。AQ6373B有助于加快短波长激光器、无源器件、LED以及在生物、材料加工、消费品和电信等应用中使用这些器件的装置的开发和生产速度。

单通道太赫兹频域光谱仪 (1850GHz 频率分辨率 1000MHz)

多功能PB7220-2000-T/R太赫兹频率分析光谱仪专为精确扫描复杂化合物而设计，具有更高的精度和控制能力。当研究太赫兹和应用开发人员需要以高分辨率研究太赫兹频率下的材料特性时，PB7220太赫兹频域分析光谱仪是一个理想选择。从100 GHz扫描到1.8 THz以上的单次快速扫描，其频率分辨率高于0.25 GHz。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.15mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.2mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 0.35mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

PB7220-2000-T/R双通道太赫兹频域光谱仪 (双通道传输反射系统)

多功能PB7220-2000-T/R太赫兹频率分析光谱仪专为精确扫描复杂化合物而设计，具有更高的精度和控制能力。当研究太赫兹和应用开发人员需要以高分辨率研究太赫兹频率下的材料特性时，PB7220太赫兹频域分析光谱仪是一个理想选择。从100 GHz扫描到1.8 THz以上的单次快速扫描，其频率分辨率高于0.25 GHz。

GaSe硒化镓晶体 5 x 5 x 1mm

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

AQ6377 MWIR中波红外光谱分析仪 1900-5500nm

横河AQ6377光谱仪是采用衍射原理，与平常的干涉型光谱仪不一样，它主要用于中红外的激光器，有效解决中红外激光器测量波形问题。它采用色散分光技术来测量1.9um-5.5um波长范围的激光光谱测试，具有高精度，动态范围广，高分辨率的特点。

多波段太赫兹源 Tera Cascade 1000系列

Tera Cascade 1000系列是屡获殊荣的太赫兹源，基于先进的量子级联激光技术，是探索超太赫兹频率范围的完quan工具。它能够在一个系统中，2至5 THz的选定频率下，确保每个频段的CW或QCW的平均输出功率超过1mW。功能灵活和强大，适用于任何超太赫兹应用。