GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
产品特点高非线性系数；宽透明波段；优异相位匹配特性；化学稳定性；机械强度高
产品货号G80010022
应用领域非线性光学 | 太赫兹波生成 | 红外光学 | 激光频率转换 | 科研实验
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Daisy
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规格尺寸
5 x 5 x 0.05mm
GaSe晶体的透过率曲线
EOS测量及反演结果
实验室光路系统
无
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