10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片

2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）芯片

2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um

InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片

双通道高速采集光纤传感解调卡(100MSps 14bits)|工业测控

这是一款 PCIe x8 Lane、双通道、14bits 分别率的光纤传感解调卡，采样率 100MSps。板载 XC7K160T/325T 高性能 FPGA 芯片，具有丰富的乘法器和 RAM 资源，具有指数放大、平均、滤波、功率 统计等光纤传感解调算法。通过采用大容量数据缓存和高速数据传输引擎技术，支持原始数据的实时上传， 数据传输速率可达 1.2GB/s。驱动程序具有良好的兼容性，支持 WIN7、WIN8、WIN10 的 32/64bits 多个版本。

635nm激光二极管(TO56 最大电流150mA)|生物医学

用于635nm波长的脊形波导激光二极管

中波制冷电动调焦镜头(50mm/2.0)|工业研发

一个集成了用于中波红外波段（3-5μm）的50毫米焦距、F2.0大光圈光学镜头，并专门匹配制冷型红外探测器的成像系统。其具备电动调焦功能，适用于需要远程控制、高灵敏度、高分辨率的中远距离热成像应用。

氙气短弧灯(150W 最大电流8.5A)|材料测试

氙灯是研究领域广泛使用的光源。氙灯通常与椭圆形反射器或抛物面反射器一起使用，椭圆形反射器可将白光束从灯的输出窗口形成单焦点光束，抛物面反射器可将白光束从灯的输出窗口形成单焦点光束。该灯可与各种滤光器配合使用，使用空气质量滤光器时，它可用作太阳能模拟器。由于反光罩将灯泡吞没，高达 70% 的发射辐射被反光罩捕获并直接照射到发光点。 该装置还提供三种稳定方式：电流、电力和光强稳定。光强稳定模式有助于长期（数小时）稳定输出光束。与电流稳定模式下的 30 分钟或更长时间相比，它还能将预热时间缩短到约 3 分钟。

瞬态吸收光谱仪(脉冲持续时间5ns)|材料分析

瞬态吸收光谱仪，也称为闪光光解光谱仪，专用于测量光激发样品中量子态之间的跃迁。瞬态吸收光谱仪测量适用于液体和固体样品。 基态样品被强激光脉冲激发至激发态。该脉冲可能诱导短寿命中间体，例如高能级电子、自由基或离子。通过测量穿过样品的白光束（液体和薄膜）的透射率/吸光度，或测量粉末和非透明块状样品的反射率，来监测去激发过程。白光束由氙气灯产生。 系统提供测量激光脉冲诱导的荧光和磷光的功能。 借助电化学扩展功能，可以研究浸没在电解质中的固态样品。当检查与电解质接触的样品时，可以在实验过程中施加额外的偏置电位。这提供了额外的控制参数，并扩展了实验的灵活性。 如果同时使用模拟恒电位仪，则可以在单个激光脉冲的时间尺度上跟踪样品和电解质之间电流的变化！ 实验过程完全自动化。

扫描开尔文探针(分辨率20um)|材料表面分析

扫描开尔文探头可以测量 CPD（接触电位差）值，评估半导体和导电材料的功函数。测量不仅可以在样品表面的单点进行，还可以对整个表面进行扫描。 功函数测量在半导体物理学中特别有用，因为它提供了被测材料费米级的位置。 配备光源的开尔文探头可以检测样品的电子表面状态。电子的表面状态在电荷转移中起着重要作用，这对光伏材料和光电化学尤其重要。 通过扫描样品表面并检查其电学特性，可以精确评估材料的质量及其均匀性。 实验过程中收集的一系列数据可用于更精确地评估功函数。

强度调制光电流和光电压光谱系统|材料分析

强度调制光电流和光电压光谱系统可以进行与静态光电压/光电流测量互补的样品检测。单色LED具有调制正弦波形的光强度，可在宽频率范围内工作，可用于研究许多动力学参数：扩散参数、样品的时间尺度（载流子传输时间、复合速率等等）。对于浸入电解液中的光电化学样品，可以从两侧照射样品：透过电解液，用于研究电解液-样品表面界面；或透过后光学窗口，用于研究基底-样品界面。样品装置放置在样品室中，该样品室可屏蔽环境光和外部电磁场。

100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (750um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片