产品型号

MP-SPAD-B-WBHT-10

工作温度

-50~80℃

存储温度

-50℃~+85℃

光电特性指标

参数

单位

测试条件

MIN

MAX

直流特性  Te=23±2℃

击穿电压(Vbr)

V

Ia=10μA

50

70

响应度(Re)

A/W

λ=1.55μm, V=Vbr-2V,  Φe=1μW

8

-

暗电流(Ia)

nA

V=Vbr-2V, Φe=0

-

1

电容(Cot)

pF

V=Vbr-2V, f=1MHz

-

0.35

击穿电压温度系数(n)

V℃

Top=-40~+

30℃,I=10μA, Φe=0

-

0.15

盖革特性 Top=-30℃

光子探测效率(PDE)

%

0.1ph/pulse, λ=1.55μm

20

-

暗计数率(DCR)

kHz

fg=100MHz, PDE=20%

-

1.5

后脉冲概率(APP)

%

-

2.5

T E C 性 能

参数

单位

MAX

性能

(323k/N2)

△Tmax

K

119

Qmax

W

0.8

△Imax

A

2.5

Umax

V

2.2

ACR

Ohm

0.78

Thermistor 5 kS at 25℃

Thermistor Constant A=1.2548E-03,B=2.3738E-04,C=1.3222E-07

绝对最大额定值

参数

单位

额定值

参数

焊接温度，Tsd(时间)

℃

260(10s)

直流反偏电压，Vr

V

Vbr

过偏压脉冲幅度，Vg

V

10

输入光功率，Φe(连续)

mW

1

正向电流，Ie(连续)

mA

1

机械结构

封装结构

尺寸

mm

1000(L)×10.5(W)×8.77(H)

封装类型

-

气密/非气密

尾纤

FC-PC单模尾纤

ESD测试

标准：MIL-STD-883E,方法3015.7,Class 1(≥300V)

产品标准

执行GJB8119-2013《半导体光电子器件通用规范》相关要求

Pin Number

Symbol

Description

1

APD_C

APD cathode

2

D1_C

Balance diode cathode

3

GND

Case ground

4

TH1

Thermistor terminal 1

5

TEC-

TEC negative terminal

6

TEC+

TEC positive terminal

7

TH2

Thermistor terminal 2

8

GND

Case ground

9

D1_A

Balance diode anode

10

APD_A

APD anode

型号

说明

MP-SPAD-B-WBHT-10

宽波段，高温，10pin蝶形封装，基础型

序号

版本号

修订时间

修订内容

1

V1.0

2025.12.5

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