IR抛光FZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光硒化锌(ZnSe)窗片 0.6-21.0um (圆形25.0X2mm)

ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。

镀金二色性分光镜 25mm dia X 3 mm

Microphotns是FT-IR分束器组件和子组件供应商。我们为市场提供全系列的光学元件，标准涂层和新设计的技术支持。我们的分束器用于生产的仪器，已应用在危险材料，环境控制，过程控制和材料识别的领域。Terahertzlabs,inc拥有对分束器设计和制造的关键参数的广泛了解。我们能够采取分束器设计和改进您的独te应用程序的理想。我们对红外材料纯度，平面度要求，角度公差，补偿器匹配以及补偿时的相位和幅度响应以及我们特殊涂层的关键完成特性的知识将补充您的设计。 研究和开发服务可通过我们的过程工程人员解决一些更常见的问题，如边缘，啁啾和在中红外到远红外光谱区域所需的光谱覆盖不足等问题。

IR抛光FZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (12.0X1.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光硒化锌(ZnSe)窗片 0.6-21.0um (圆形25.0X2mm AR增透膜)

ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。

IR抛光硒化锌(ZnSe)窗片 0.6-21.0um (圆形25.0X4mm)

ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。

镀金二色性分光镜 25mm dia X 5 mm

Microphotns是FT-IR分束器组件和子组件供应商。我们为市场提供全系列的光学元件，标准涂层和新设计的技术支持。我们的分束器用于生产的仪器，已应用在危险材料，环境控制，过程控制和材料识别的领域。Terahertzlabs,inc拥有对分束器设计和制造的关键参数的广泛了解。我们能够采取分束器设计和改进您的独te应用程序的理想。我们对红外材料纯度，平面度要求，角度公差，补偿器匹配以及补偿时的相位和幅度响应以及我们特殊涂层的关键完成特性的知识将补充您的设计。 研究和开发服务可通过我们的过程工程人员解决一些更常见的问题，如边缘，啁啾和在中红外到远红外光谱区域所需的光谱覆盖不足等问题。

IR抛光硒化锌(ZnSe)窗片 0.6-21.0um (圆形25.0X4mm AR增透膜)

ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。

镀金二色性分光镜 50mm dia X 2 mm

Microphotns是FT-IR分束器组件和子组件供应商。我们为市场提供全系列的光学元件，标准涂层和新设计的技术支持。我们的分束器用于生产的仪器，已应用在危险材料，环境控制，过程控制和材料识别的领域。Terahertzlabs,inc拥有对分束器设计和制造的关键参数的广泛了解。我们能够采取分束器设计和改进您的独te应用程序的理想。我们对红外材料纯度，平面度要求，角度公差，补偿器匹配以及补偿时的相位和幅度响应以及我们特殊涂层的关键完成特性的知识将补充您的设计。 研究和开发服务可通过我们的过程工程人员解决一些更常见的问题，如边缘，啁啾和在中红外到远红外光谱区域所需的光谱覆盖不足等问题。

IR抛光硒化锌(ZnSe)窗片 0.6-21.0um (圆形25.0X5.0mm)

ZnSe 在红外元器件窗片透镜以及光谱分析ATR 棱镜领域有着广泛的应用。硒化锌(Zinc Selenide)对于CO2激光器的元器件也是一种良好的选择。在二氧化碳激光器工作的波段10.6 microns附近有着良好的透射率。硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的材料。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。

镀金二色性分光镜 50mm dia X 5 mm

Microphotns是FT-IR分束器组件和子组件供应商。我们为市场提供全系列的光学元件，标准涂层和新设计的技术支持。我们的分束器用于生产的仪器，已应用在危险材料，环境控制，过程控制和材料识别的领域。Terahertzlabs,inc拥有对分束器设计和制造的关键参数的广泛了解。我们能够采取分束器设计和改进您的独te应用程序的理想。我们对红外材料纯度，平面度要求，角度公差，补偿器匹配以及补偿时的相位和幅度响应以及我们特殊涂层的关键完成特性的知识将补充您的设计。 研究和开发服务可通过我们的过程工程人员解决一些更常见的问题，如边缘，啁啾和在中红外到远红外光谱区域所需的光谱覆盖不足等问题。

IR抛光FZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (13.0X1.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。