1550nm保偏光纤准直器（20mm工作距离）

筱晓光子的光纤准直器经过预对准，用于准直从FC/APC接头光纤出射的光，并具有限制衍射的性能。这些光纤准直器没有运动部件，结构紧凑，方便集成到已有的装置中。

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X0.5mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (25.4X1.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

中红外光纤准直器,FOCO硒化锌准直透镜 8-12µm,镜头焦距5 mm

中红外光缆（FOCO）的准直透镜可使准直光束耦合到光纤中，或准直光纤输出的光束。透镜的外壳可通过FC/PC或SMA连接器轻松连接光纤电缆，并可沿Z轴对齐透镜位置。 中红外重聚焦透镜具有抗反射(AR)涂层，适用于两个光谱范围: 3-5µm – 用于硫系玻璃光纤电缆. 8-12µm –用于多晶光纤电缆. 我们提供两种类型的中红外光纤重聚焦透镜，透镜直径如下: Ø 15mm - FOCO-L Ø 5mm - FOCO-S

中红外光纤准直器,FOCO硒化锌准直透镜 3-5µm,镜头焦距5 mm

中红外光缆（FOCO）的准直透镜可使准直光束耦合到光纤中，或准直光纤输出的光束。透镜的外壳可通过FC/PC或SMA连接器轻松连接光纤电缆，并可沿Z轴对齐透镜位置。 中红外重聚焦透镜具有抗反射(AR)涂层，适用于两个光谱范围: 3-5µm – 用于硫系玻璃光纤电缆. 8-12µm –用于多晶光纤电缆. 我们提供两种类型的中红外光纤重聚焦透镜，透镜直径如下: Ø 15mm - FOCO-L Ø 5mm - FOCO-S

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (25.4X4.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光CZ级(Si) 7.5° 楔形硅窗片 1.2-15um (25.4X7.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。

中红外光纤准直器,FOCO硒化锌准直透镜 8-12µm,镜头焦距20 mm

中红外光缆（FOCO）的准直透镜可使准直光束耦合到光纤中，或准直光纤输出的光束。透镜的外壳可通过FC/PC或SMA连接器轻松连接光纤电缆，并可沿Z轴对齐透镜位置。 中红外重聚焦透镜具有抗反射(AR)涂层，适用于两个光谱范围: 3-5µm – 用于硫系玻璃光纤电缆. 8-12µm –用于多晶光纤电缆. 我们提供两种类型的中红外光纤重聚焦透镜，透镜直径如下: Ø 15mm - FOCO-L Ø 5mm - FOCO-S

中红外光纤准直器,FOCO硒化锌准直透镜 3-5µm,镜头焦距20 mm

中红外光缆（FOCO）的准直透镜可使准直光束耦合到光纤中，或准直光纤输出的光束。透镜的外壳可通过FC/PC或SMA连接器轻松连接光纤电缆，并可沿Z轴对齐透镜位置。 中红外重聚焦透镜具有抗反射(AR)涂层，适用于两个光谱范围: 3-5µm – 用于硫系玻璃光纤电缆. 8-12µm –用于多晶光纤电缆. 我们提供两种类型的中红外光纤重聚焦透镜，透镜直径如下: Ø 15mm - FOCO-L Ø 5mm - FOCO-S

IR抛光CZ级(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片)

光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 非常高的电阻率材料可客户定制，te别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ(Czochralski级提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ(Float Zone级材料)，可以提供没有这种吸收的（FZ）工艺的材料。硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。硅通过Czochralski提拉法技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。