GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)

IR抛光 锗(Ge)窗片 1.8-23um (30.0mmX1mm圆形窗口片)

Ge是用于制造光谱学衰减全反射（ATR）棱镜的高折射率材料。 其折射率使得锗在不需要涂层的情况下产生有效的自然的50％分束器。 锗也广泛作用于生产光学滤波器的衬底。 锗覆盖整个8-14um热能带，并用于热成像的透镜系统中。 锗可以被AR涂覆金刚石，产生非常坚韧的光学窗口。

IR抛光 锗(Ge)窗片 1.8-23um (30.0mmX2mm圆形窗口片)

Ge是用于制造光谱学衰减全反射（ATR）棱镜的高折射率材料。 其折射率使得锗在不需要涂层的情况下产生有效的自然的50％分束器。 锗也广泛作用于生产光学滤波器的衬底。 锗覆盖整个8-14um热能带，并用于热成像的透镜系统中。 锗可以被AR涂覆金刚石，产生非常坚韧的光学窗口。

IR级抛光氟化钡Ba​F2窗片 圆形 0.15-12um 15mm Ø x 2mm

氟化钡能很好应用于光谱组件。 氟化钡通常适用于无源IR波段（8~14μm）的应用，通常用作热成像的窗片。 对于相同厚度，比氟化钙的透射范围进一步延伸到IR中大约1mm。 主要用于IR应用，并注意到具有IR抛光的视窗可能在由低纯度BaF 2晶体制成的VUV中具有受限的透射性能。 氟化钡通过真空Stockbarger技术生长。 与CaF2不同，BaF2不以天然状态存在，并且所有材料必须化学合成，使得BaF2生产相对昂贵。氟化钡容易裂开，对热冲击非常敏感。它抛光好可以蚀刻。不是所有的晶体都是由zui高等级的化学品制造的; 对于IR级光学器件，较低规格是足够的并且降低了成本，然而在UV和VUV中的透射受到限制。zui高纯度的氟化钡VUV材料可以被认为是快闪烁级。

IR抛光 锗(Ge)窗片 1.8-23um (30.0mmX3mm圆形窗口片)

Ge是用于制造光谱学衰减全反射（ATR）棱镜的高折射率材料。 其折射率使得锗在不需要涂层的情况下产生有效的自然的50％分束器。 锗也广泛作用于生产光学滤波器的衬底。 锗覆盖整个8-14um热能带，并用于热成像的透镜系统中。 锗可以被AR涂覆金刚石，产生非常坚韧的光学窗口。

GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)

IR抛光 锗(Ge)窗片 1.8-23um (32.0mmX3mm圆形窗口片)

Ge是用于制造光谱学衰减全反射（ATR）棱镜的高折射率材料。 其折射率使得锗在不需要涂层的情况下产生有效的自然的50％分束器。 锗也广泛作用于生产光学滤波器的衬底。 锗覆盖整个8-14um热能带，并用于热成像的透镜系统中。 锗可以被AR涂覆金刚石，产生非常坚韧的光学窗口。

IR级抛光氟化钡Ba​F2窗片 圆形 0.15-12um 16mm Ø x 3mm

氟化钡能很好应用于光谱组件。 氟化钡通常适用于无源IR波段（8~14μm）的应用，通常用作热成像的窗片。 对于相同厚度，比氟化钙的透射范围进一步延伸到IR中大约1mm。 主要用于IR应用，并注意到具有IR抛光的视窗可能在由低纯度BaF 2晶体制成的VUV中具有受限的透射性能。 氟化钡通过真空Stockbarger技术生长。 与CaF2不同，BaF2不以天然状态存在，并且所有材料必须化学合成，使得BaF2生产相对昂贵。氟化钡容易裂开，对热冲击非常敏感。它抛光好可以蚀刻。不是所有的晶体都是由zui高等级的化学品制造的; 对于IR级光学器件，较低规格是足够的并且降低了成本，然而在UV和VUV中的透射受到限制。zui高纯度的氟化钡VUV材料可以被认为是快闪烁级。

GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)

GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)

IR级抛光氟化钡Ba​F2窗片 圆形 0.15-12um 19mm Ø x 2mm

氟化钡能很好应用于光谱组件。 氟化钡通常适用于无源IR波段（8~14μm）的应用，通常用作热成像的窗片。 对于相同厚度，比氟化钙的透射范围进一步延伸到IR中大约1mm。 主要用于IR应用，并注意到具有IR抛光的视窗可能在由低纯度BaF 2晶体制成的VUV中具有受限的透射性能。 氟化钡通过真空Stockbarger技术生长。 与CaF2不同，BaF2不以天然状态存在，并且所有材料必须化学合成，使得BaF2生产相对昂贵。氟化钡容易裂开，对热冲击非常敏感。它抛光好可以蚀刻。不是所有的晶体都是由zui高等级的化学品制造的; 对于IR级光学器件，较低规格是足够的并且降低了成本，然而在UV和VUV中的透射受到限制。zui高纯度的氟化钡VUV材料可以被认为是快闪烁级。

GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封装)