1550nm保偏铌酸锂10Gb/s强度调制器

铌酸锂（LiNbO3）强度调制器由钛扩散或质子交换工艺制作 Mach-Zehnder 型光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌 酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。 有(20和40GHz可选)

780nm 高增益半导体光放大器 16nm增益带宽

这是一款中心波长在 780nm 的高性能半导体光放大器，具有典型的 30dB 小信号增益。该器件专为需要极高增益和中等带宽放大的应用而设计，特别适用于量子光学、光学相干断层扫描（OCT）以及与铷原子吸收线相关的精密测量系统

砷化镓（GaAs）窗片 正方体 1-16um,尺寸5x5mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф25.4X2mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф10.0X0.3mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

EOP02C空间光相位调制器

电光相位调制器（EOP），按照驱动频率可分为高频和低频两类：低频型号广泛应用于PDH稳频等低频调制需求；高频型号适用于量子物理和原子分子物理实验等场景。我们的电光调制器具有优秀的性能和可靠性，可广泛应用于科学研究、工程应用和工业生产中，为客户提供高效、可靠的光学解决方案。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф50.8X0.3mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

1000nm 宽带半导体光放大器 100nm增益带宽

本产品是一款专为 1000nm 近红外波段设计的高性能宽带半导体光放大器。基于 InGaAs/InP 材料体系，采用量子点有源区设计，端面蒸镀抗反射涂层（反射率 < 0.001%）以有效抑制法布里-珀罗振荡。器件提供 100nm 超宽增益带宽 与高达 33dB 的小信号增益，可同时放大该波段内的多个波长信号，广泛应用于扫频光源、光学相干断层扫描（OCT）、光纤传感及可调谐激光器等领域

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф25.4X5mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф25.4X3mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф25.4X1mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

砷化镓（GaAs）窗片 1-16um ф12.7X2mm

砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。