763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感）

PL-VCSEL-0763-0-A82 型 763nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一款垂直出光的激光器，基于金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光芯片制成。芯片采用 TO46 封装壳进行封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。 该激光器专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用设计，其窄线宽特性使其成为无需热电制冷器（TEC）的氧气分析仪器的理想选择，兼具良好性能与低成本优势，适用于氧气检测相关的分析仪器制造领域。

760nm 单模VCSEL激光器

PL-VCSEL-1-A82 型 760nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。

1260 - 1650nm镀铝抗辐射单模光纤

IXF-SM 系列包含专为极端温度和 / 或低至中等辐射水平的恶劣环境设计的单模光纤。我们提供多种聚合物和金属涂层 , 非常适合高温应用场景。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围 ，从低温环境到 + 400°C 均可适用 ，且具备氢密封性 ，能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。 IXF-SM-1550-125-019-AL 光纤具有耐辐射性 ，可在低至中等辐射水平下使用。

763nm 单模VCSEL激光器

PL-VCSEL-1-A81 型 763nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。

795nm单模VCSEL发射激光器

PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 795 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。

1300 - 1650nm镀铝抗辐射单模光纤

IXF-SM 系列包含专为极端温度和 / 或低至中等辐射水平的恶劣环境设计的单模光纤。我们提供多种聚合物和金属涂层 , 非常适合高温应用场景。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围 ，从低温环境到 + 400°C 均可适用 ，且具备氢密封性 ，能在富氢环境中减轻氢致 暗化现象。 IXF-SM-1550-125-014-AL 光纤具有耐辐射性 ，可在低至中等辐射水平下使用；针对高辐射水平场景 ，还提供配套的 抗辐射光纤。

763nm 单模VCSEL激光器

PL-VCSEL-1-A82 型 763nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。

1000 - 1350nm镀铝抗辐射单模光纤

IXF-SM 系列包含专为极端温度和 / 或低至中等辐射水平的恶劣环境设计的单模光纤。我们提供多种聚合物和金属涂层 , 非常适合高温应用场景。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围 ，从低温环境到 + 400°C 均可适用 ，且具备氢密封性 ，能在富氢环境中减轻氢致 暗化现象。 IXF-SM-1060-125-014-AL 光纤具有耐辐射性 ，可在低至中等辐射水平下使用；针对高辐射水平场景 ，还提供配套的抗辐射光纤。

794.7nm单模VCSEL发射激光器

PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。该激光器内置半导体制冷器（TEC）和光电探测器（PD），是专为可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用而特别设计的。凭借窄线宽特性以及搭配半导体制冷器所实现的宽调谐范围，它成为铷原子光谱 D1 跃迁研究中一款性价比颇高的选择。

1550nm镀铝抗辐射单模光纤

抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长光纤在辐射环境中的使用寿命。凭借十年来在研发 领域的投入及科研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和/ 或极端温度的恶劣环 境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从低温环境到 + 400°C 均可稳定运行。同时，这类光纤具备氢密封性， 能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。

760nm 单模VCSEL激光器

PL-VCSEL-1-A81 型 760nm 垂直腔面发射激光器是一款采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。芯片采用 TO39 金属管壳封装，可通过调节激光电流和温度实现波长调谐，封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD）。

900 - 1100nm镀铝抗辐射单模光纤

抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长光纤在辐射环境中的使用寿命。凭借十年来在研发 领域的投入及科研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和/ 或极端温度的恶劣环 境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从低温环境到 + 400°C 均可稳定运行。同时，这类光纤具备氢密封性， 能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。