瞬态吸收光谱仪(脉冲持续时间5ns)|材料分析

瞬态吸收光谱仪，也称为闪光光解光谱仪，专用于测量光激发样品中量子态之间的跃迁。瞬态吸收光谱仪测量适用于液体和固体样品。 基态样品被强激光脉冲激发至激发态。该脉冲可能诱导短寿命中间体，例如高能级电子、自由基或离子。通过测量穿过样品的白光束（液体和薄膜）的透射率/吸光度，或测量粉末和非透明块状样品的反射率，来监测去激发过程。白光束由氙气灯产生。 系统提供测量激光脉冲诱导的荧光和磷光的功能。 借助电化学扩展功能，可以研究浸没在电解质中的固态样品。当检查与电解质接触的样品时，可以在实验过程中施加额外的偏置电位。这提供了额外的控制参数，并扩展了实验的灵活性。 如果同时使用模拟恒电位仪，则可以在单个激光脉冲的时间尺度上跟踪样品和电解质之间电流的变化！ 实验过程完全自动化。

扫描开尔文探针(分辨率20um)|材料表面分析

扫描开尔文探头可以测量 CPD（接触电位差）值，评估半导体和导电材料的功函数。测量不仅可以在样品表面的单点进行，还可以对整个表面进行扫描。 功函数测量在半导体物理学中特别有用，因为它提供了被测材料费米级的位置。 配备光源的开尔文探头可以检测样品的电子表面状态。电子的表面状态在电荷转移中起着重要作用，这对光伏材料和光电化学尤其重要。 通过扫描样品表面并检查其电学特性，可以精确评估材料的质量及其均匀性。 实验过程中收集的一系列数据可用于更精确地评估功函数。

强度调制光电流和光电压光谱系统|材料分析

强度调制光电流和光电压光谱系统可以进行与静态光电压/光电流测量互补的样品检测。单色LED具有调制正弦波形的光强度，可在宽频率范围内工作，可用于研究许多动力学参数：扩散参数、样品的时间尺度（载流子传输时间、复合速率等等）。对于浸入电解液中的光电化学样品，可以从两侧照射样品：透过电解液，用于研究电解液-样品表面界面；或透过后光学窗口，用于研究基底-样品界面。样品装置放置在样品室中，该样品室可屏蔽环境光和外部电磁场。

100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (750um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (500um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

28Gbaud InGaAs PIN PD 1x4 Array Chip φ18um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1x4 Array PD Chip φ32um

InGaAs 高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (750um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

25Gbps InGaAs 1×4 Array PD Chip φ20um (250um Pitch)

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

保偏光子晶体光纤连接器(1550nm 插损≤0.6dB)|光纤陀螺

本产品采用具有自主知识产权的特殊技术制备及模块化封装。可提供标准规格产品及特殊订制化服务。保偏光子晶体光纤可应用于光纤陀螺以及偏振相关器件领域，具有抗辐照、双折射效应高和优良的温度稳定性。该光纤空气与玻璃间具有大折射率阶跃，产生强的双折射，使得其拍长短，相比传统的保偏光纤，保偏光子晶体光纤可以减小弯曲引起的不同偏振态之间的耦合，保持大的消光比。