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首页 光电探测器 探测器芯片 InGaAs PIN高速光探测器芯片及阵列芯片 40-800Gbps InGaAs PIN Array PD Chip 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

    • 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um

    InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

    产品特点数据速率高达 200-800Gbps；底部发光平面结构；GSG 电极结构

    产品货号无

    应用领域IEEE 200/800Gbps Ethernet | 200G CWDM4,PSM4,LR4

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    主要参数
  • 核心参数

  • 无

    无

  • 尺寸图
    • 详细参数

    image.png

    规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）

    参数

    符号

    最小值

    典型值

    最大值

    单位

    测试条件

    响应范围

    λ

    900


    1650

    nm


    响应度

    R


    0.7


    A/W

    λ=1310-1550nm

    暗电流

    ID


    0.1

    1

    nA

    VR=-5V

    电容

    C


    0.06


    pF

    VR=-2V,f=1MHz

    带宽

    Bw


    60


    GHz

    VR=-2V
    3dB down,RL=50Ω

    有效区直径

    D


    10


    um


    通道之间的中心间距(pitch)



    750/500


    um



    可选配置表

    无

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    暂无资料

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