光纤耦合超辐射发光二极管 SLD 1000nm 25mW

Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二极管 是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二极管不同，反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。

1550nm 超发光二极管模块 (光纤功率 2mW)

超发光二极管（SLD）芯片大功率系列是一种高性能、低偏振、宽光谱的SLD模块。它符合GR-468-CORE标准，并通过ROHS认证。 Superluminescence Diode Module 1550nm

950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ300um

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ500um

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ1000um

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

SLD0830010YY050MXXXX-光纤耦合超辐射发光二极管

950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ2000um

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

SLD1000100YY015MXXXX-光纤耦合超辐射发光二极管

950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ3000um

P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。

1300±150nm OCT光电平衡探测器

2GHz OCT 光电平衡探测器 2GHz Low Noise OCT Balance Photodetector

InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-800M-A

超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出， 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-600M-A

超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出， 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。