InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-1.2G-A

超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出， 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。

1550nm 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏四象限 PD芯片 探测接收模块

GD4516YA 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块，其采用 InGaAs 四象限 PD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。

1550nm 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块

GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块，其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。

InGaAs 铟镓砷线列探测器(相机) 0.9-1.7um NIR-800X2型

950-1650nm InGaAs单光子阵列探测器组件

MP6514S型探测器组件由4×4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95-1.65 μm的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。

InGaAs 铟镓砷线列探测器(相机) 0.9-1.7um NIR-512X2 型

InGaAs 铟镓砷线列探测器(相机) 0.9-1.7um NIR-1024X2 型

900-1700nm 法兰式InGaAs探测器

C3A-I1700FA系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。 系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。采用1 mm2 硅光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。 系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用3mm直径光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。

900-1700nm 大光敏面InGaAs探测器

C3A-I1700LA系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。 系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用3mm直径光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。

NIR-256X1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um

NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um

1000-2300nm 扩展型大光敏面InGaAs探测器

C3A-2300LAE系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用3mm直径光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。

1000-2600nm 扩展型大光敏面InGaAs光电探测器

C3A-2700LAE系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。 系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用3mm直径光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。