GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group3 Ta=80±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group1 Ta=60±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group2 Ta=70±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group4 Ta=90±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

4.0um 高功耗台式中红外FP-QCL量子级联激光器 250mW（台式光源）

4.0um高功耗台式FP-QCL量子级联激光器是上海筱晓光子开发的连续光激光器，输出光功率比较高，准直输出功率有几百毫瓦，能够满足中红外测试的光源条件。并且台式FP-QCL激光器模块内部集成了驱动，温控模块，还可以用软件控制调谐激光器的温度和工作电流，能够让激光器稳定工作，保持测量数值的准确性。

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group5 Ta=100±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

同轴封装保偏光纤耦合激光器(850nm 30mW)|光纤通信

同轴光纤耦合激光器，是推出的一种低成本光纤耦合激光器。具有封装体积小，输出功率高等优点。我们的产品广泛应用于激光通讯，印刷打印激光医疗领域。

FP激光二极管模块(1310nm 30mW SA)|光纤通信

LDRVMINI 是一款用于蝶形半导体激光器的电流驱动与温度控制模块。其主要功能包括：控制激光器内部温度、产生恒流信号驱动激光器，并可将外部输入电压信号转换为电流驱动。模块具有两种最大电流驱动范围，适用于不同功率大小的激光器（通过电路板跳线进行选择）。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC）

PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（带TEC）

PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

可调谐VCSEL激光二极管(1550nm 1mW TO56 带TEC)|光通信

1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。

单模VCSEL激光二极管(1310nm 0.5mW 带TEC)|光通信

1310 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流，并且可以通过内置TEC实现温度稳定。