低功耗台式中红外DFB-QCL量子级联激光器(4.6um 20mW 台式光源)

低功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器是筱晓2018上半年开发出的国内先进超低功耗的QCL DFB激光.超过100nm的可调谐范围，输出功率大于20mw满足客户测试气体传感等工业需求。我们的激光器准直输出输出功率稳定，温度波长稳定性高比传统大功耗的量子级联激光器的稳定性高出好几个数量级。为我们中红外测试的客户提供了优秀的测试光源。

单模VCSEL激光二极管(760nm 0.3mW TO39)|光纤通信

760nm单模垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护.

4.0um 高功耗台式中红外FP-QCL量子级联激光器 250mW（TDLAS综合控制模块）

4.0um高功耗台式FP-QCL量子级联激光器是上海筱晓光子开发的连续光激光器，输出光功率比较高，准直输出功率有几百毫瓦，能够满足中红外测试的光源条件。并且台式FP-QCL激光器模块内部集成了驱动，温控模块，还可以用软件控制调谐激光器的温度和工作电流，能够让激光器稳定工作，保持测量数值的准确性。

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group3 Ta=80±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group1 Ta=60±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group2 Ta=70±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group4 Ta=90±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

4.0um 高功耗台式中红外FP-QCL量子级联激光器 250mW（台式光源）

4.0um高功耗台式FP-QCL量子级联激光器是上海筱晓光子开发的连续光激光器，输出光功率比较高，准直输出功率有几百毫瓦，能够满足中红外测试的光源条件。并且台式FP-QCL激光器模块内部集成了驱动，温控模块，还可以用软件控制调谐激光器的温度和工作电流，能够让激光器稳定工作，保持测量数值的准确性。

GaAs VCSEL单模低功耗芯片(795nm 0.13mW Group5 Ta=100±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20

同轴封装保偏光纤耦合激光器(850nm 30mW)|光纤通信

同轴光纤耦合激光器，是推出的一种低成本光纤耦合激光器。具有封装体积小，输出功率高等优点。我们的产品广泛应用于激光通讯，印刷打印激光医疗领域。

FP激光二极管模块(1310nm 30mW SA)|光纤通信

LDRVMINI 是一款用于蝶形半导体激光器的电流驱动与温度控制模块。其主要功能包括：控制激光器内部温度、产生恒流信号驱动激光器，并可将外部输入电压信号转换为电流驱动。模块具有两种最大电流驱动范围，适用于不同功率大小的激光器（通过电路板跳线进行选择）。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC）

PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。