1550nm单模VCSEL激光器（带TEC）

PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。我们的1550 nm单模VCSEL设计用于高速、高性能通信应用。

1550nm单模VCSEL激光器（不带TEC）

PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。我们的1550 nm单模VCSEL设计用于高速、高性能通信应用。

偏振锁定单模VCSEL芯片激光器(850nm 1mW)|量子技术

我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射，具有对称的高斯光束轮廓，输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(850nm 带TEC TO46)|光纤传感

VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。

高功率FP泵浦激光二极管(808nm 200mW 单模)|激光泵浦

光输出功率高达250mW，14引脚蝶形封装，光纤布拉格光栅锁定波长，集成TEC、热敏电阻和PD，出色的低功耗稳定性

850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC）

850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。

单频近红外NIR VECSEL系统(700-2100nm 垂直腔面发射激光器)

是一种单频VECSEL系统，可在700–2100 nm之间使用。在紧凑的封装中结合了一组te别的激光特性：高功率连续波操作（1–4 W CW），窄线宽（<100 kHz），宽调谐（~10THz），优秀的光束质量（M2<1.1）。该系统包括带有集成泵浦激光器的VECSEL头、控制单元和低振动冷却器。外部泵浦激光器的输出功率大于10 W。

高功率FP激光器(1420nm 500mW 带FBG 保偏)|激光泵浦

为光纤拉曼放大器开发的1.4µm波段的泵浦激光器模块。输出功率高达500mw，保偏光纤输出，14引脚蝶形封装。内置TEC和PD，热敏电阻。

单频可见光VIS VECSEL系统(350-750nm 垂直外腔面发射激光器)

一种特的可调谐单频VECSEL系统，具有高效的腔内二次谐波产生功能。这种新开发的激光器目前可在350-750 nm之间使用，具有瓦级输出功率，并使用与我们的近红外产品线相同的交钥匙VECSEL平台。

1480nm 单模 古河FP激光器 300mW (不带FBG)

FOL1405R系列已被设计用于多种光放大器，如用于光传输系统的EDFA或拉曼放大器，特别是在密集波分复用(DWDM)系统中.将应变多量子阱激光二极管芯片与热电冷却器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针封蝶形封装中。一个双透镜系统将一个圆形的光从激光芯片有效地耦合到光纤上，并使输出功率高达320 mW。该激光模块符合TelcordiaTMGR-468要求中描述的电信要求，并在经过ISOTM9001认证的生产线上生产。

1480nm 保偏 古河FP激光器 300mW (不带FBG)

FOL1405R系列已被设计用于多种光放大器，如用于光传输系统的EDFA或拉曼放大器，特别是在密集波分复用(DWDM)系统中.将应变多量子阱激光二极管芯片与热电冷却器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针封蝶形封装中。一个双透镜系统将一个圆形的光从激光芯片有效地耦合到光纤上，并使输出功率高达320 mW。该激光模块符合TelcordiaTMGR-468要求中描述的电信要求，并在经过ISOTM9001认证的生产线上生产。

VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。