1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (不带隔离器 1.0mW)

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。它具有较小的远场发散角，发散角光束窄且圆；并且阈值电流低，调制频率高，能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装，它专为高速光纤通信而设计。

高功率宽区域激光二极管(1064nm 8W 带宽4nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1120nm 8W 带宽4nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1210nm 5W 带宽10nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1280nm 5W 带宽10nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1310nm 5W 带宽10nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

TO46单模VCSEL激光器(852±1nm 1mW 带TEC)|光通信

单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。

TO46单模VCSEL激光器(852±10nm 1mW 不带TEC)|光通信

单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。

高功率宽区域激光二极管(1064nm 12W 带宽4nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1064nm 15W 带宽4nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1160nm 7W 带宽10nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准

高功率宽区域激光二极管(1190nm 6W 带宽10nm)|激光泵浦

专有镜面涂层技术，可靠性高，芯片与复合底座之间采用可靠的 Au/Sn 键合， 符合 RoHS 标准