140GHz太赫兹源，射频输出功率80mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

140GHz太赫兹源，射频输出功率180mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率40mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率70mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

200GHz太赫兹源，射频输出功率200mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

300GHz太赫兹源，射频输出功率10mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

300GHz太赫兹源，射频输出功率30mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

300GHz太赫兹源，射频输出功率50mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

300GHz太赫兹源，射频输出功率80mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

600GHz太赫兹源，射频输出功率1.5mW

TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）是具有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管，安装在铜散热器上。双漂移二极管中各层分别是：重掺杂（p+）区、中掺杂的p区、中掺杂的n区和重掺杂（n+）区。（p+）和（n+）区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该器件由负电阻产生和维持振荡。TeraSense现提供太赫兹源的升级版。升级后的IMPATT二极管配备有保护隔离器，大大提升了输出功率的稳定性。从现在开始，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。100 GHz处优化频率的典型射频输出功率可达2W。

中红外定制镀膜

2008年12月16日加拿大UBC光纤通信实验室的高端真空镀膜设备正式投入试生产使用，满足科研需求的同时，我们也对外承接镀膜的业务。我们专注于光纤端面镀膜，以及中远红外波长晶体镀膜。光纤端面镀膜是我们的擅长，尤其是针对高反膜1550nm光通信光纤镀膜我们的成品率可以达到99.5%以上，反射率高达99%以上。我们也能够镀一定波段范围内增透膜或者高反膜。

太赫兹PCA专用 准直非球面平凸TPX透镜 (25.4mm)

CTL-25mm是光电导天线（PCA）的附件，安装在直径25.4 mm的Al散热器上，并配备BATOP的超半球硅衬底透镜。这种天线的发散太赫兹光束在第一步中被超半球硅透镜稍微收集。在第二步中，太赫兹光束由直径为1“的TPX（聚甲基戊烯）透镜准直，该透镜在可见光谱区域也是透明的。该准直太赫兹光束从直径为22毫米的CTL-D25mm射出。相同的配置可用于测量准直太赫兹光束。附加的聚焦TPX透镜可以安装在第一TPX透镜的前面，以获得焦距为30mm的聚焦THz光束。