辐射发光二极管 是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二极管不同，反馈不足以实现激光作用
产品特点宽光谱；低相干性；高输出功率；光纤耦合设计；高输出稳定性
产品货号A80051020
应用领域光学相干断层扫描（OCT） | 分布式光纤传感（DAS/DTS） | 光纤陀螺仪（FOG） | 量子光学 | WDM系统验证
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Daisy
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平均波长 频宽FWHM 输出功率 工作电流
1000nm 100nm 25mW 600mA
规格 测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上 | |||||
参数 | 符号. | 最小值. | 典型值. | 最大值. | 单位 |
工作输出功率 | Pout | 15 | 25 | mW | |
平均波长 | λm | 985 | 1000 | 1015 | nm |
带宽 @ -3dB | Δλ | 80 | 100 | nm | |
谱倾角振幅 | 1 | 3 | dB | ||
基态最大位置 | λg | 1015 | 1030 | 1045 | nm |
激发态最大位置 | λe | 940 | 955 | 970 | nm |
ASE谱波纹* | 0.02 | 0.3 | dB | ||
偏振消光比 | PER | 15 | 20 | dB | |
操作电流 | Iop | 600 | 700 | mA | |
正向电压 | Vf | 1.7 | 1.9 | V | |
上升时间 | Trise | 0.15 | ns | ||
下降时间 | Tfall | 0.5 | ns | ||
* RMS在1nm范围在ASE最大，10pm分辨率
无
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