筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
产品特点超大光敏面；锗材料；近红外响应；高灵敏度；优异线性度
型号MP-CPD-B-G-8K10
应用领域激光功率监测 | 工业成像 | 光谱分析 | 光纤传感 | 科研实验
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光谱响应范围 光敏面直径 响应度
800-1800nm 10mm @1550nm 0.85 A/W
产品规格 | |
探测材料 | Ge |
响应波长 | 800 - 1800 nm |
峰值波长 | 1550 nm (Typ.) |
响应度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直径 | 78.5 mm2 (Ø10mm) |
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗电流 (5 V) | 60 µA (Max.) |
电容(10 V) | 1800 pF (Max.) |
分流电阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封装形式 | TO-9 |
最大额定值 | |
最大击穿打压 | 10 V |
操作温度 | -55 to 60 °C |
存储温度 | -55 to 60 °C |
备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明
2、NEP指Ding在光伏模式下
无
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