• Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)

    筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

    产品特点大光敏面;锗材料;近红外响应;高灵敏度;优异线性度

    产品货号E80040033

    应用领域激光功率监测 | 工业成像 | 光谱分析 | 光纤传感 | 科研实验

    产品单价联系客服询价

    到货日期请咨询客服获得货期

    产品库存请咨询客服

    Sherry

    电话:16628709332

    邮箱:moli@microphotons.com

    主要参数
  • 核心参数
  • 光谱响应范围 光敏面直径 响应度

    800-1800nm 5mm @1550nm 0.85 A/W

  • 尺寸图
  • 型号参数


    参数规格

    探测材料

    Ge

    响应波长

    800 - 1800 nm

    峰值波长

    1550 nm   (Typ.)

    响应度

    0.85 A/W   (Typ.)

    光敏面直径

    19.6 mm2 (Ø5 mm)

    上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)

    220 ns / 220 ns (Typ.)

    NEP, Typical (1550 nm)

    4.0 x   10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

    暗电流 (5 V)

    60 µA (Max.)

    电容(10 V)
      电容(0 V)

    1800 pF (Max.)
      16000 pF (Max.)

    分流电阻

    4000 Ohm   (Typ.)

    封装形式

    TO-8

    最大击穿打压

    10 V

    操作温度

    -55 to 60 °C

    存储温度

    -55 to 60 °C

    备注:1、典型值;RL = 50 Ω,除非另有说明

               2、NEP指Ding在光伏模式下

    光谱响应曲线

    图片13.png

    图片14.png

    图片15.png

    推荐电路

    图片20.png

    可选配置表

    产品资料

    新品推荐

    • 精品现货
    • 非标定制
    • 质量保证
    • 产品研发
    • 顺丰速运