GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
产品特点中红外优；高损伤阈；低色散性；热稳定佳；易加工
型号MP-OPC-GaSe-NIN
应用领域差频产生 | 太赫兹源 | 激光变频 | 医疗设备 | 红外探测
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Sherry
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透光率
0.62 – 20µm
主要特性
复合物 | GaSe | |
透光率, µm | 0.62 – 20 | |
非线性系数, pm/V | d22 = 54 @10.6 µm | |
对称度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
晶胞参数, Å | a=3.74, c=15.89 | |
典型反射系数 | 10.6 µm | no=2.6975, ne=2.3745 |
光学损伤阈值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
离散角, ° | 5.3 µm | 4.1 |
无
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